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FDS8949

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDS8949 SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDS8949

FDS8949概述

    FDS8949 Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDS8949 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(HXY)生产的双N沟道增强型MOSFET。它采用了先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷,并且可以在最低2.5V的栅极电压下运行。这款产品适用于电池保护、负载开关和不间断电源等多种应用场景。

    2. 技术参数


    - 额定参数
    - 漏源电压(VDS):40V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏电流(ID):12A(TA=25℃),7A(TA=70℃)
    - 脉冲漏电流(IDM):40A
    - 总功耗(PD):2.9W(TA=25℃)
    - 存储温度范围(TSTG):-55°C 至 150°C
    - 工作结温范围(TJ):-55°C 至 150°C
    - 最大热阻(Rthj-a):365°C/W
    - 电气特性
    - 导通电阻(RDS(ON)):16mΩ(VGS=10V),24mΩ(VGS=4.5V)
    - 输入电容(Ciss):964pF
    - 输出电容(Coss):109pF
    - 反向传输电容(Crss):96pF(VDS=20V, VGS=0V, F=1.0MHz)
    - 开关特性:导通延迟时间(td(on)):5.5ns;导通上升时间(tr):14ns;关断延迟时间(td(off)):24ns;关断下降时间(tf):12ns
    - 总栅极电荷(Qg):22.9nC
    - 栅源电荷(Qgs):3.5nC
    - 栅漏电荷(Qgd):5.3nC
    - 二极管正向电压(VSD):0.8V 至 1.2V(VGS=0V, IS=9A)

    3. 产品特点和优势


    FDS8949 的独特之处在于其采用的先进沟槽技术,这使其具有较低的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷。这些特性使得它在电池保护、负载开关和不间断电源等应用中表现出色。此外,它能够在较低的栅极电压下运行,这对于许多低功耗应用非常有利。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电池保护:FDS8949 可以作为电池保护电路的一部分,用于防止过流和短路。
    - 负载开关:它可以用于控制电路中的负载,例如在电源管理中切换不同的负载路径。
    - 不间断电源:FDS8949 可以帮助实现不间断电源系统,确保在主电源失效时能够迅速切换到备用电源。
    使用建议:
    - 在设计电池保护电路时,应确保 FDS8949 的最大工作电流不超过其额定值。
    - 对于负载开关应用,建议使用合适的栅极驱动器来减少开关损耗。
    - 在不间断电源系统中,确保 FDS8949 能够在高电流条件下稳定工作。

    5. 兼容性和支持


    FDS8949 采用 SOP-8 封装,尺寸为 5.0mm x 4.8mm,适用于多种标准 PCB 设计。厂商提供了详细的技术支持和维护信息,包括电路设计指导和故障排除指南。此外,厂商还提供样品申请和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:FDS8949 的导通电阻随温度变化如何?
    - 解决方案:查看产品手册中的图表,可以看到 RDS(ON) 随温度变化的趋势。通常情况下,温度升高会导致 RDS(ON) 略微增加。

    - 问题2:如何选择合适的栅极驱动电压?
    - 解决方案:根据应用需求选择合适的 VGS。对于大多数应用,10V 的 VGS 是一个合适的选择,因为它可以确保 FDS8949 完全导通,同时不会超过其额定值。

    7. 总结和推荐


    FDS8949 是一款高性能的双N沟道增强型MOSFET,适用于多种应用场合,如电池保护、负载开关和不间断电源。其先进的沟槽技术和低栅极电荷使其在市场上具有很强的竞争力。尽管在极高可靠性要求的应用中需要谨慎使用,但对于大多数常规应用,FDS8949 是一个可靠的选择。因此,我强烈推荐使用 FDS8949。

FDS8949参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -

FDS8949厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDS8949数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDS8949 FDS8949数据手册

FDS8949封装设计

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15000+ ¥ 0.5216
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