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IRF7413PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRF7413PBF SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRF7413PBF

IRF7413PBF概述

    # IRF7413PBF N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    IRF7413PBF 是由深圳市华宣阳电子有限公司(HXY)生产的一款 N-Channel 增强型 MOSFET。它采用了先进的沟槽技术,提供了卓越的 RDS(ON) 特性,低门极电荷,并且能够在低至 4.5V 的门极电压下正常运行。该器件适用于电池保护及其它开关应用。
    主要功能
    - 用于电池保护
    - 作为负载开关
    - 用于不间断电源(UPS)
    应用领域
    - 电池保护
    - 负载开关
    - 不间断电源(UPS)

    技术参数


    电气特性
    - VDS(漏源电压):30V
    - VGS(栅源电压):±20V
    - ID(连续漏极电流):
    - TA=25°C 时:15A
    - TA=70°C 时:8A
    - IDM(脉冲漏极电流):45A
    - EAS(单脉冲雪崩能量):12mJ
    - PD(总功耗):TA=25°C 时为 15W
    - TSTG(存储温度范围):-55°C 至 150°C
    - TJ(工作结温范围):-55°C 至 150°C
    - 热阻:
    - RθJA(结点-环境热阻):TA=25°C 时为 25°C/W
    绝对最大额定值
    - BVDSS(漏源击穿电压):30V
    - RDS(ON)(静态漏源导通电阻):
    - VGS=10V 时:典型值 8mΩ
    - VGS=4.5V 时:典型值 12mΩ
    - VGS(th)(栅阈电压):1.2V 至 2.5V
    - IDSS(漏源漏电流):最大值 1μA
    - IGSS(栅源漏电流):最大值 ±100nA
    - gfs(正向转移电导):6.2S

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 先进的沟槽技术:确保出色的 RDS(ON) 和低门极电荷。
    - 低栅极电压操作:能够以低至 4.5V 的栅极电压运行。
    - 优异的温度性能:能够在广泛的温度范围内(-55°C 至 150°C)稳定工作。
    - 大电流能力:最大连续漏极电流为 15A,在高温环境下仍可提供高可靠性。
    在应用中的重要性
    - 电池保护:提供可靠的过流保护,延长电池使用寿命。
    - 负载开关:实现高效能的开关操作,减少功耗。
    - 不间断电源:增强系统的稳定性,确保电源供应的持续性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护:应用于智能手机、笔记本电脑等设备的电池管理系统中,防止过流和短路现象。
    - 负载开关:广泛应用于电机控制、电源转换等领域。
    - 不间断电源:在服务器、数据中心等关键设施中提供稳定的电源供应。
    使用建议
    - 温度管理:考虑到器件的工作温度范围较宽,设计电路时应注意散热措施,避免过热。
    - 电流限制:为防止过大的电流冲击,可以设置合适的电流限制电路。
    - 驱动电路:使用适当的驱动电路来优化开关速度和降低功耗。

    兼容性和支持


    兼容性
    - 封装类型:SOP-8(SO-8)
    - 与其他设备的兼容性:根据具体应用,需评估与现有电路板布局的兼容性。
    支持和维护
    - 技术支持:请联系 HXY 官方技术支持获取详细的安装指南和维护文档。
    - 保修政策:参照厂商提供的标准保修条款。

    常见问题与解决方案



    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 工作时发热严重。
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,必要时增加散热片或改进散热设计。
    2. 问题:MOSFET 在高压下容易损坏。
    - 解决方案:确认系统中的电压不超过额定值,并设置适当的过压保护。
    3. 问题:MOSFET 无法正常开关。
    - 解决方案:检查驱动电路,确保门极驱动信号正确无误。

    总结和推荐


    综合评估
    - 主要优点:
    - 出色的 RDS(ON) 特性
    - 低门极电荷和低栅极电压操作
    - 广泛的温度适应性
    - 高可靠性和长寿命
    推荐
    IRF7413PBF MOSFET 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,适合多种应用场合,特别是需要高可靠性、大电流和低功耗的应用。无论是电池保护、负载开关还是不间断电源,该器件都能提供卓越的性能和稳定性。强烈推荐在设计高要求的电路时使用此款器件。

IRF7413PBF参数

参数
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -

IRF7413PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRF7413PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRF7413PBF IRF7413PBF数据手册

IRF7413PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 1.3158
9000+ ¥ 1.2939
15000+ ¥ 1.261
库存: 720000
起订量: 3000 增量: 3000
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最小起订量为:3000
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