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IRLML2803PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRLML2803PBF SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRLML2803PBF

IRLML2803PBF概述

    IRLML2803PBF N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRLML2803PBF 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., Ltd(华宣阳电子有限公司)制造的N沟道增强型MOSFET。它具备低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷(Qg)和低栅源电压(VGS)等特性,使其在多种应用场合中表现出色。这款MOSFET 主要用于电池保护、负载开关及不间断电源系统等领域。

    技术参数


    - 电气特性:
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 漏极电流(连续): 4A
    - 最大功率耗散 (PD): 1W
    - 热阻 (RθJA): 125°C/W
    - 静态特性:
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10V 时: 29-38 mΩ
    - 在 VGS = 4.5V 时: 45-65 mΩ
    - 电容特性:
    - 输入电容 (Ciss): 233 pF (VDS = 15V, VGS = 0V)
    - 输出电容 (Coss): 44 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 33 pF
    - 门电荷特性:
    - 总门电荷 (Qg): 3 nC (VDS = 15V, ID = 2A, VGS = 10V)
    - 门源电荷 (Qgs): 0.5 nC
    - 门漏电荷 (Qgd): 0.8 nC
    - 开关时间:
    - 开启延时时间 (td(on)): 4 ns
    - 开启上升时间 (tr): 2.1 ns
    - 关闭延时时间 (td(off)): 15 ns
    - 关闭下降时间 (tf): 3.2 ns

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻: RDS(ON) 低至 29 mΩ (VGS = 10V),这使得 IRLML2803PBF 在高电流应用中表现卓越。
    2. 低栅极电荷: Qg 仅为 3 nC,在高频开关应用中能显著降低损耗。
    3. 宽工作温度范围: -55°C 至 150°C,适用于各种恶劣环境。
    4. 小型封装: SOT-23 封装,适合紧凑设计。

    应用案例和使用建议


    - 电池保护:在电池保护电路中使用,确保电池安全和长寿命。
    - 负载开关:作为高效负载开关,减少功耗并提高效率。
    - 不间断电源:应用于 UPS 系统中,提高系统的稳定性和可靠性。
    使用建议:
    - 确保门极驱动电压满足 VGS 的要求,以避免误触发或损坏。
    - 在设计电路时,考虑电容和电荷特性,选择合适的门极驱动电路。

    兼容性和支持


    - IRLML2803PBF 可与各种标准SOT-23封装的引脚兼容,便于更换和升级。
    - 华宣阳电子提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利应用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. Q: RDS(ON) 为何会随温度变化?
    - A: RDS(ON) 随温度升高而增加。设计时需要考虑温度的影响,选择适当的散热措施。
    2. Q: 如何优化开关速度?
    - A: 减小门极电阻,提高门极驱动电压,可以有效提升开关速度。
    3. Q: 长期使用是否会因热累积导致失效?
    - A: 需要确保良好的散热设计,如添加散热片或采用热管散热,以防止热累积引起的失效。

    总结和推荐


    IRLML2803PBF N-Channel MOSFET 是一款高性能的MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和广泛的温度适应性。其紧凑的封装使其非常适合于电池保护、负载开关和不间断电源系统等应用。总体而言,强烈推荐使用 IRLML2803PBF 在这些应用场景中,以实现高效、可靠的电力管理。

IRLML2803PBF参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

IRLML2803PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRLML2803PBF数据手册

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IRLML2803PBF封装设计

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9000+ ¥ 0.2313
15000+ ¥ 0.2254
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