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IRFR5505PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 360mW 20V 2.5V 9.86nC 2个P沟道 60V 82mΩ@ 10V 18A 1.447nF@15V
供应商型号: IRFR5505PBF TO-252-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFR5505PBF

IRFR5505PBF概述

    # IRFR5505PbF P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    IRFR5505PbF 是一款由深圳华宣阳电子有限公司(HXY)生产的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。该产品采用了先进的沟槽技术,能够提供卓越的低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷以及最低4.5V的栅极电压操作能力。IRFR5505PbF 主要适用于电池保护及开关应用,例如不间断电源(UPS)、负载开关等。

    技术参数


    以下是 IRFR5505PbF 的关键技术参数:
    - 电气特性:
    - 最大源漏电压 (VDS): -60V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - TC=25℃ 时: -15A
    - TC=100℃ 时: -11A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): -36A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 35.4mJ
    - 最大雪崩电流 (IAS): -26.6A
    - 热阻 (RθJA): 62℃/W
    - 热阻 (RθJC): 3.6℃/W
    - 静态参数:
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS=10V 时: <82mΩ
    - VGS=4.5V 时: 85-105mΩ
    - 阈值电压 (VGS(th)): -1.2V 至 -2.5V
    - 反向转移电容 (Crss): 70pF
    - 输入电容 (Ciss): 1447pF
    - 输出电容 (Coss): 97.3pF

    产品特点和优势


    IRFR5505PbF 的核心优势包括:
    - 高效率: 低导通电阻和低栅极电荷使其在多种应用中表现出色,特别是在电池保护和开关应用中。
    - 高可靠性: 先进的沟槽技术提高了其耐用性和稳定性,使得该产品能够在恶劣环境下正常运行。
    - 宽工作范围: 能够在 -55℃ 至 150℃ 的温度范围内稳定工作,适合于各种严苛的应用环境。
    - 小封装尺寸: TO-252-2L 封装便于安装和布线,节省空间。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护: 由于其高可靠性和耐温性,IRFR5505PbF 在电池保护电路中可以有效防止过载和短路现象的发生。
    - 负载开关: 作为负载开关使用时,其低导通电阻特性可以显著减少功率损耗,提高整体能效。
    - 不间断电源: 在 UPS 中使用时,该产品能够快速响应,确保电源的连续性和稳定性。
    使用建议
    - 温度管理: 鉴于产品的工作温度范围较广,需要考虑散热措施,以保证其在高温下的正常运行。
    - 测试验证: 在实际应用前,建议进行详细的测试验证,特别是针对高温和大电流场景,确保其在极端条件下的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性: IRFR5505PbF 与市面上常见的 P 沟道 MOSFET 通用,可广泛应用于不同品牌的电子产品中。
    - 支持和服务: HXY 提供详尽的技术文档和专业的技术支持,包括在线帮助和客户热线,确保用户在使用过程中获得全面的支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品发热严重?
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,避免长时间高电流工作。
    - 问题:产品关断延迟时间较长?
    - 解决方案: 检查外部驱动电路是否正确配置,调整栅极电阻以优化开关速度。
    - 问题:产品损坏无法工作?
    - 解决方案: 检查电路是否有误接、短路等问题,确认外部条件符合产品规格要求。

    总结和推荐


    综上所述,IRFR5505PbF 是一款高性能的 P 沟道增强型 MOSFET,具有优异的导通特性和低功耗表现。无论是用于电池保护还是负载开关应用,该产品均展现出卓越的可靠性和高效性。结合其广泛的温度适应能力和较小的封装尺寸,IRFR5505PbF 无疑是市场上一个极具竞争力的选择。对于寻求高性能 MOSFET 的工程师和技术人员而言,强烈推荐使用 IRFR5505PbF。

IRFR5505PBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 18A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.447nF@15V
FET类型 2个P沟道
栅极电荷 9.86nC
配置 -
最大功率耗散 360mW
Rds(On)-漏源导通电阻 82mΩ@ 10V
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFR5505PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFR5505PBF数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRFR5505PBF IRFR5505PBF数据手册

IRFR5505PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ ¥ 0.5377
12500+ ¥ 0.5241
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