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FDS8884

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDS8884 SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDS8884

FDS8884概述

    # FDS8884 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDS8884 是由华轩阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产的一款 N-Channel Enhancement Mode MOSFET。这款电子元器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷(Qg),能够在最低4.5V的门极电压下正常运行。FDS8884 适用于电池保护及开关应用等多种场合。

    技术参数


    电气特性
    - 漏源击穿电压(VDS):30V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏电流(ID):在25℃时为8.5A;在70℃时为5.6A
    - 脉冲漏电流(IDM):35A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):20mJ
    - 雪崩电流(IAS):20A
    - 总功耗(PD):在25℃时为1.5W
    - 存储温度范围(TSTG):-55至150℃
    - 工作结温范围(TJ):-55至150℃
    - 热阻抗(RθJA):≤85℃/W(t≤10s),25℃/W
    特性参数
    - 导通电阻(RDS(ON)):在10V栅源电压下,典型值为14mΩ
    - 栅阈电压(VGS(th)):1.2至2.5V
    - 栅泄漏电流(IGSS):在±20V栅源电压下,典型值为±100nA
    - 前向转移电导(gfs):6.2S
    - 总栅极电荷(Qg):在4.5V电压下,典型值为6nC
    - 上升时间(Tr):40至72.0ns
    - 反向恢复时间(trr):7.2ns

    产品特点和优势


    FDS8884 的特点包括:
    - 低导通电阻(RDS(ON)),使得能耗更低,效率更高。
    - 低栅极电荷(Qg),有助于降低驱动电路的复杂度和成本。
    - 在较低的栅源电压下仍能有效运行,使得应用场景更为广泛。
    - 高热稳定性和良好的热管理能力,适合长时间高功率操作。
    这些特性使其成为电池保护和开关应用的理想选择,在可靠性、能效和稳定性方面具有明显优势。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FDS8884 主要用于电池保护、负载开关和不间断电源等场景。例如,在负载开关应用中,可以利用其低导通电阻特性实现高效的开关转换。在电池保护应用中,能够快速响应异常情况,提高系统的安全性和可靠性。
    使用建议
    1. 合理散热设计:考虑到较高的功耗和热阻,建议在使用时进行良好的散热设计,确保器件不会过热。
    2. 正确的安装方式:确保与PCB板的焊点可靠,以减少接触电阻。
    3. 合理的外围电路设计:根据应用需求选择合适的栅极电阻(Rg),优化驱动电路设计,减少不必要的能量损耗。

    兼容性和支持


    FDS8884采用SOP-8封装形式,符合行业标准,可方便集成到多种电路设计中。厂商提供了详尽的技术支持和服务,包括产品文档、技术支持热线和在线论坛等。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何正确连接栅极?
    解决办法:栅极应通过电阻(Rg)连接到适当的驱动电路,以防止过高的栅极电压导致器件损坏。
    问题二:如何处理热管理问题?
    解决办法:使用铜质散热片和良好的空气流通,或通过强制风冷等方式增加散热效果。
    问题三:如何防止静电放电?
    解决办法:在装配过程中应使用防静电工具和设备,避免静电对器件造成损害。

    总结和推荐


    FDS8884 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能的电子元器件,其卓越的电气特性和广泛应用范围使其成为电池保护和开关应用的理想选择。通过详细的特性参数和应用指南,用户可以充分利用其优势,实现高效稳定的系统设计。综合来看,我们强烈推荐此产品,尤其是在需要低能耗、高可靠性的应用场景中。

FDS8884参数

参数
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -

FDS8884厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDS8884数据手册

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FDS8884封装设计

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15000+ ¥ 0.2898
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