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FDD8870

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDD8870 TO-252-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDD8870

FDD8870概述

    FDD8870 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDD8870 是一款来自华轩阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)的 N-Channel Enhancement Mode MOSFET(增强型 N 沟道 MOSFET)。这种器件采用先进的沟槽技术制造,具有低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷(Qg),且能够在最低 4.5V 的栅源电压下工作。FDD8870 广泛应用于电池保护、负载开关及不间断电源等领域。

    2. 技术参数


    以下是 FDD8870 的关键技术参数:
    - 额定电压(VDS): 30V
    - 连续漏极电流(ID):
    - 在 25℃ 下: 120A
    - 在 100℃ 下: 75A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 384A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 196mJ
    - 雪崩电流(IAS): 53.8A
    - 总功耗(PD): 62.5W
    - 存储温度范围(TSTG): -55℃ 至 150℃
    - 工作结温范围(TJ): -55℃ 至 150℃
    - 热阻(RθJA): 62℃/W

    3. 产品特点和优势


    FDD8870 具备以下特点和优势:
    - 先进的沟槽技术: 保证了出色的导通电阻和较低的栅极电荷,非常适合高频率开关应用。
    - 宽广的工作温度范围: 能够在极端温度环境下稳定工作,适用于多种恶劣环境。
    - 低栅极电荷: 这使得它在高频应用中表现出色,减少了开关损耗。
    - 低导通电阻: 低至 3.8mΩ(@ VGS=10V),这大大提高了能效。

    4. 应用案例和使用建议


    FDD8870 可以广泛应用于电池保护电路、负载开关及不间断电源系统。例如,在电池保护电路中,它能够提供高效可靠的保护,防止过载和短路故障。对于高频开关应用,FDD8870 的低导通电阻和低栅极电荷特性可以显著提高效率和降低发热。
    使用建议:
    - 确保在设计电路时考虑到温度范围和散热要求。
    - 使用适当的驱动电路来确保 MOSFET 的栅极电压在安全范围内。
    - 在大功率应用中,考虑增加外部散热装置,以防止结温过高。

    5. 兼容性和支持


    FDD8870 采用 TO-252-2L 封装,易于集成到现有电路中。华轩阳电子有限公司提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够获得必要的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册,以下是几个常见的问题及其解决方案:
    - 问题: MOSFET 在高电流下过热。
    - 解决方案: 增加散热片或风扇,确保良好的热管理。
    - 问题: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 检查驱动电路的参数设置,确保其与 MOSFET 配合良好。
    - 问题: 导通电阻异常高。
    - 解决方案: 检查栅极电压是否符合要求,确保其在正常工作范围内。

    7. 总结和推荐


    总体而言,FDD8870 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件。它在电池保护、负载开关及不间断电源应用中表现出色。通过合理的设计和适当的应用,它能够显著提高系统的整体性能。因此,我们强烈推荐在需要高效、可靠 MOSFET 的应用中使用 FDD8870。

FDD8870参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -

FDD8870厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDD8870数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDD8870 FDD8870数据手册

FDD8870封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ ¥ 0.7901
12500+ ¥ 0.77
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