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IRLML2244PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRLML2244PBF SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRLML2244PBF

IRLML2244PBF概述

    # IRLML2244PbF MOSFET 技术手册及应用指南

    1. 产品简介


    IRLML2244PbF 是一款由深圳华轩阳电子有限公司生产的P沟道增强型MOSFET,主要用于电池保护和开关应用。该器件采用了先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON))和较短的开关时间,且能够在低至2.5V的门极电压下正常工作。
    主要功能
    - 适用于电池保护
    - 适用于开关应用
    应用领域
    - PWM应用
    - 负载开关
    - 电源管理

    2. 技术参数


    IRLML2244PbF 的主要技术规格如下:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源电压 (VGS) | ±12 | - | ±12 | V |
    | 漏源电压 (VDS) | -20 | - | -20 | V |
    | 持续漏极电流 (ID) | - | - | -5 | A |
    | 脉冲漏极电流 (IDM) | - | - | -14 | A |
    | 最大功率耗散 (PD) | - | - | 1.31 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 (TJ, TSTG) | -55 | - | 150 | °C |
    | 热阻 (RθJA) | - | - | 120 | °C/W |
    电气特性:
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)):@ VGS=-4.5V, ID=-4.9A,典型值为35mΩ
    - 门阈电压 (VGS(th)):-0.4 ~ -1.0V
    - 前向转移电导 (gfs):12.8 S
    - 总门极电荷 (Qg):10.2 ~ 14.3 nC
    - 输入电容 (Ciss):857 ~ 1200 pF

    3. 产品特点和优势


    IRLML2244PbF 的独特功能和优势包括:
    - 高效能:采用先进沟槽技术,提供低至45mΩ的导通电阻。
    - 低功耗:低门极电荷设计,提高能源效率。
    - 宽工作范围:可在低至2.5V的门极电压下工作,适应多种电路需求。
    - 高可靠性:具备高击穿电压和低温升特性,适合在恶劣环境下使用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 作为负载开关用于电源管理系统。
    - 用于电池保护电路以防止过流和过压情况。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保门极驱动电压不超过12V,避免击穿风险。
    - 使用散热良好的封装(如SOT-23),以延长器件寿命并提高可靠性。

    5. 兼容性和支持


    IRLML2244PbF 可与其他标准的SOT-23封装产品兼容。供应商提供了全面的技术支持和售后服务,包括详细的资料和技术咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何正确连接栅极驱动电路?
    - 解决方案:确保栅极驱动电压在安全范围内,通常不超过12V。使用合适的上拉/下拉电阻,确保快速切换。
    2. 如何测量静态导通电阻 (RDS(ON))?
    - 解决方案:在额定电流下测量。注意,测试条件可能会影响测量结果。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 高效能,低导通电阻。
    - 广泛的工作温度范围。
    - 适用性强,可用于多种应用场合。
    推荐:
    鉴于其高效能和广泛应用范围,IRLML2244PbF 非常适合需要高可靠性和高性能的应用场景,例如电源管理和负载开关。我们强烈推荐此款MOSFET用于需要高能效和稳定性的地方。

IRLML2244PBF参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -

IRLML2244PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRLML2244PBF数据手册

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IRLML2244PBF封装设计

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