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IRF8313PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRF8313PBF SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRF8313PBF

IRF8313PBF概述


    产品简介


    产品概述
    IRF8313PbF 是一款由深圳华宣阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产的双N通道增强型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。它采用先进的沟槽技术,具有较低的导通电阻(RDS(ON))和较低的栅极电荷,能够在低至2.5V的栅源电压下正常工作。
    主要功能和应用领域
    IRF8313PbF 适用于电池保护和开关电源等应用。它的主要特点包括:
    - 双N通道设计,适合并联使用以提高电流处理能力。
    - 高度集成的电路结构,简化了设计复杂性。
    - 极低的导通电阻,适合需要高效率的应用场景。

    技术参数


    电气特性
    - 漏源电压(VDS): 30V
    - 栅源电压(VGS): +20V
    - 最大连续漏极电流(ID): 11.5A @ TA=25℃, 7.8A @ TA=70℃
    - 最大脉冲漏极电流(IDM): 42A
    - 总功率耗散(PD): 3.2W @ TA=25℃
    - 存储温度范围(TSTG): -55到150℃
    - 工作结温范围(TJ): -55到150℃
    导通电阻
    - RDS(ON):
    - 42mΩ @ VGS=4.5V
    - 30mΩ @ VGS=10V
    其他参数
    - 输入电容(Ciss): 633pF @ VDS=15V, VGS=0V, f=1.0MHz
    - 输出电容(Coss): 120pF
    - 反向传输电容(Crss): 99pF
    - 栅极电荷(Qg): 15nC @ VDS=15V, ID=10A, VGS=10V

    产品特点和优势


    独特功能
    - 低栅源电压驱动: IRF8313PbF 可以在低至2.5V的电压下正常工作,适应更多应用场景。
    - 低导通电阻: 无论是在4.5V还是10V的栅源电压下,导通电阻都保持在较低水平,有助于提高系统的整体能效。
    - 耐高温设计: 工作结温范围宽达-55到150℃,适用于各种恶劣环境。
    市场竞争力
    - 高可靠性: 高温工作能力和低泄漏电流确保了其在极端条件下的稳定性和可靠性。
    - 高效率: 由于导通电阻低,IRF8313PbF 在工作时产生的损耗小,提高了系统的整体效率。
    - 多功能性: 适用于多种应用场景,如电池保护、负载开关和不间断电源等。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    IRF8313PbF 广泛应用于电池保护、负载开关和不间断电源系统中。其低导通电阻和低栅极电荷特性使其特别适合于高能效的应用场合。
    使用建议
    - 散热设计: 虽然 IRF8313PbF 具备较高的耐热能力,但在高功率应用中仍需注意良好的散热设计,以确保长期稳定性。
    - 驱动电路: 考虑到其较低的栅极电荷,可以使用较小的驱动电路来降低功耗,从而提高整体系统的能效。

    兼容性和支持


    兼容性
    IRF8313PbF 的标准封装为SOP-8,与大多数类似的SOP-8封装的电子元器件具有良好的兼容性。在使用过程中,可以通过简单的替换来实现升级。
    厂商支持
    制造商提供了详尽的技术支持和文档资料,包括详细的电气特性图和应用场景示例,以便用户更好地理解和应用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:温度过高导致器件失效
    - 解决方法: 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或其他冷却措施。
    问题2:驱动电路不稳定
    - 解决方法: 检查驱动电路的参数设置,确保驱动信号的电压和频率符合要求。

    总结和推荐


    综合评估
    IRF8313PbF 在技术参数和性能方面表现优秀,具有较高的导通效率和广泛的温度适应范围。其低导通电阻和低栅极电荷特性使其在众多应用场合中表现出色。
    推荐使用
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在电池保护、负载开关及不间断电源系统中使用 IRF8313PbF。通过合理的使用和设计,可有效提升系统性能和可靠性。

IRF8313PBF参数

参数
FET类型 -
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

IRF8313PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRF8313PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRF8313PBF IRF8313PBF数据手册

IRF8313PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 1.224
9000+ ¥ 1.2036
15000+ ¥ 1.173
库存: 720000
起订量: 3000 增量: 3000
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最小起订量为:3000
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