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BSC020N03LSG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: BSC020N03LSG DFN5X6-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) BSC020N03LSG

BSC020N03LSG概述

    # BSC020N03LSG N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    产品类型
    BSC020N03LSG 是一款由深圳华宣阳电子有限公司生产的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用先进的沟槽技术制造。
    主要功能
    - 提供出色的 RDS(ON) 电阻和低门极电荷
    - 适用于电池保护和开关应用
    - 支持最低 4.5V 的门极电压操作
    应用领域
    - 电池保护
    - 负载开关
    - 不间断电源系统

    技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏源电压 | - | 30 | - | V |
    | VGS | 门极源极电压 | ±10 | - | ±20 | V |
    | ID | 持续漏极电流 | - | 150 | - | A |
    | IDM | 脉冲漏极电流 | - | 160 | - | A |
    | RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 | - | 2.4 | - | mΩ |
    | PD | 总功耗 | - | 187 | - | W |
    | TSTG | 存储温度范围 | -55 | - | 150 | ℃ |
    | TJ | 工作结温范围 | -55 | - | 150 | ℃ |
    | RθJA | 热阻结到环境 | - | 62 | - | ℃/W |
    | RθJC | 热阻结到外壳 | - | 1.1 | - | ℃/W |

    产品特点和优势


    BSC020N03LSG MOSFET 的特点和优势如下:
    - 高耐压能力:最高可达 30V,适合多种高电压应用场景。
    - 低 RDS(ON) 电阻:典型值仅为 2.4mΩ,使得功耗更低,效率更高。
    - 低门极电荷:适合高频开关应用,降低开关损耗。
    - 宽工作温度范围:-55°C 到 150°C,适应各种恶劣环境条件。
    - 卓越的热管理能力:RθJA 和 RθJC 值较低,有助于更好地散热,延长使用寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    BSC020N03LSG 主要应用于电池保护、负载开关和不间断电源系统中。例如,在电池保护电路中,它可以有效地防止过流和短路现象的发生。
    使用建议
    - 在使用时,确保门极电压不超过最大值,避免损坏器件。
    - 考虑到较高的持续漏极电流,建议在 PCB 设计时合理规划走线宽度,以提高散热效果。
    - 若用于高频应用场合,可以考虑增加散热片或采用空气冷却等方式,提高散热效率。

    兼容性和支持


    BSC020N03LSG 采用 DFN5X6-8L 封装形式,可与其他标准 TDSON-8 封装的器件兼容使用。深圳华宣阳电子公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品资料下载、技术咨询和故障排查等服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 增加散热措施,如使用散热片或加强风冷。 |
    | 门极电压波动过大 | 确保电源稳定,使用稳压电源并添加滤波电容。 |
    | 寿命短于预期 | 定期检查散热系统,确保良好散热,避免长时间满负荷运行。 |

    总结和推荐


    综合评估
    BSC020N03LSG N-Channel MOSFET 在各方面表现优异,具有低 RDS(ON) 电阻、低门极电荷和良好的热管理能力,非常适合电池保护、负载开关和不间断电源系统等应用。
    推荐使用
    鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐 BSC020N03LSG 在需要高效、可靠和稳定的电子系统中使用。在设计和使用过程中,注意遵循技术手册中的注意事项,确保系统的长期稳定运行。

BSC020N03LSG参数

参数
FET类型 -
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -

BSC020N03LSG厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

BSC020N03LSG数据手册

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BSC020N03LSG封装设计

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