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AO4466

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: AO4466 SOP-8
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) AO4466

AO4466概述

    AO4466 N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    AO4466 是由深圳市华轩阳电子有限公司(HXY)生产的高性能N沟道增强型MOSFET,适用于电池保护及开关应用。此器件采用了先进的沟槽技术,以提供极低的导通电阻(RDS(ON))和较低的栅极电荷,使其能够在低至4.5V的门极电压下工作。

    技术参数


    以下是AO4466的关键技术规格:
    - VDS(漏源电压):30V
    - ID(连续漏极电流):在TA=25°C时为8.5A;在TA=70°C时为5.6A
    - IDM(脉冲漏极电流):35A
    - RDS(ON)(导通电阻):在VGS=10V时小于18mΩ
    - BVDSS(漏源击穿电压):30V
    - RθJA(热阻):85°C/W(热阻结-环境,t≤10s);25°C/W(热阻结-环境)

    产品特点和优势


    AO4466 的主要特点如下:
    - 低导通电阻:在VGS=10V时,RDS(ON) 小于18mΩ,这使得它非常适合高效率的应用。
    - 低栅极电荷:低栅极电荷意味着更快的开关速度,有助于提高系统效率。
    - 宽工作温度范围:存储温度范围为-55°C至150°C,确保在各种环境下都能稳定工作。
    - 低门极阈值电压:即使在较低的门极电压下也能正常工作,从而增强了系统的灵活性。

    应用案例和使用建议


    AO4466 可广泛应用于以下领域:
    - 电池保护:可用于防止电池过充、过放电和短路等情况。
    - 负载开关:适用于需要高效能切换的场合。
    - 不间断电源:适用于要求高可靠性的不间断电源系统。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应注意散热问题,特别是在高功率应用中,需要合理布置散热片或散热风扇。
    - 确保电路中其他组件与MOSFET的电气特性相匹配,避免因过载导致损坏。

    兼容性和支持


    AO4466 器件采用标准的SOP-8封装,易于集成到现有的电路板中。制造商提供了详细的规格书和应用指南,可帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,HXY还提供技术支持,包括但不限于样品请求、工程咨询和技术文档。

    常见问题与解决方案


    常见问题及其解决方案:
    - 问题: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方法: 增加散热措施,如安装散热片或增加散热风扇,同时降低开关频率,以减少功耗。

    - 问题: 导通电阻增大,影响系统效率。
    - 解决方法: 检查门极电压是否过低,调整至合适的电压范围,确保RDS(ON)保持在较低水平。

    总结和推荐


    AO4466是一款优秀的N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和宽工作温度范围等优点。它非常适合电池保护、负载开关和不间断电源等应用。考虑到其出色的性能和广泛的适用范围,强烈推荐使用AO4466。
    结论: AO4466凭借其独特的功能和优势,在众多应用中表现出色。如果您正在寻找一款可靠的N沟道增强型MOSFET,AO4466将是一个明智的选择。

AO4466参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

AO4466厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

AO4466数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 AO4466 AO4466数据手册

AO4466封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.2462
9000+ ¥ 0.2421
15000+ ¥ 0.236
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