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ZXMN6A25K

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: ZXMN6A25K TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) ZXMN6A25K

ZXMN6A25K概述


    产品简介


    ZXMN6A25K N-Channel Enhancement Mode MOSFET
    ZXMN6A25K是一款采用先进沟槽技术制造的N沟道增强型MOSFET。它具有低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷的特点,可以在4.5V的低门电压下正常工作。该器件适用于电池保护和其他开关应用。通过高效稳定的性能,ZXMN6A25K能够在众多电子设备中发挥重要作用。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - VDS:漏源电压:60V
    - VGS:栅源电压:±20V
    - ID@TC=25℃:连续漏电流,VGS @ 10V:20A
    - ID@TC=100℃:连续漏电流,VGS @ 10V:10A
    - IDM:脉冲漏电流:80A
    - EAS:单脉冲雪崩能量:38mJ
    - PD@TC=25℃:总功耗:34.7W
    - TSTG:存储温度范围:-55至150℃
    - TJ:工作结温范围:-55至150℃
    - 电气特性
    - V(BR)DSS:漏源击穿电压:60V
    - lGSS:栅体泄漏电流:±100nA
    - IDSS:零栅压漏电流:1μA
    - VGS(th):阈值电压:1.2至2.5V
    - RDS(on):导通电阻:25至32mΩ
    - gfs:转移导纳:15.5S
    - Qg:总栅极电荷:22nC
    - tr:上升时间:15.3ns

    产品特点和优势


    ZXMN6A25K具有以下几个显著的优势:
    1. 低导通电阻:RDS(on) ≤ 32mΩ @ VGS=10V,确保高效的电力转换。
    2. 低栅极电荷:Qg ≤ 22nC,减少开关损耗,提高能效。
    3. 宽工作电压范围:漏源电压最高可达60V,适用于多种电源管理应用。
    4. 高可靠性:支持高达80A的脉冲漏电流,满足高功率需求。
    5. 紧凑封装:采用TO-252-2L封装,便于电路板布局设计。

    应用案例和使用建议


    ZXMN6A25K适用于多种应用场合,例如:
    1. 电池保护:用于锂电池保护电路,确保电池安全。
    2. 负载开关:用于需要精确控制的负载切换应用。
    3. 不间断电源(UPS):提供稳定可靠的电力供应。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,需注意散热设计以避免过热。
    - 使用前请根据具体应用调整门电压和电流限制,确保最佳性能。

    兼容性和支持


    ZXMN6A25K与标准的TO-252-2L封装兼容,方便在各种电路板上安装。制造商提供全面的技术支持,包括应用指南和详细的规格说明,以帮助用户正确使用该器件。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何处理过热问题?
    - 答:增加散热片或使用热管进行散热,确保结温不超过150℃。

    2. 问:如何选择合适的门电压?
    - 答:一般建议选择10V作为门电压,可以确保器件处于饱和区并获得最低的导通电阻。
    3. 问:如何优化开关性能?
    - 答:优化栅极驱动电路,减少门电荷和开关损耗。

    总结和推荐


    ZXMN6A25K是一款高性能、高可靠性的N沟道增强型MOSFET,适合广泛的应用领域,尤其是在电池保护、负载开关和不间断电源等方面表现出色。其低导通电阻、低栅极电荷和宽工作电压范围使得它在许多电力转换应用中成为理想选择。我们强烈推荐使用这款产品,特别是在需要高效率和高可靠性的场合。

ZXMN6A25K参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

ZXMN6A25K厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

ZXMN6A25K数据手册

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ZXMN6A25K封装设计

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