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NTD2955

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NTD2955 TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NTD2955

NTD2955概述


    产品简介


    NTD2955 P-Channel Enhancement Mode MOSFET
    NTD2955 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD 生产的 P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET),适用于多种开关应用。这款 MOSFET 使用先进的沟槽技术,具备出色的 RDS(ON),低栅极电荷,并且可以在低至 4.5V 的栅极电压下工作。该器件主要用于无刷电机控制、负载开关、不间断电源系统、电池保护等领域。

    技术参数


    - 基本规格:
    - Drain-Source 电压 (VDS): -60V
    - 持续漏电流 (ID @ TC=25℃): -10A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM): -26A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 29.8mJ
    - 雪崩电流 (IAS): -24.4A
    - 总功率耗散 (PD @ TC=25℃): 31.3W
    - 热阻 (RθJA): 62°C/W
    - 电气特性:
    - 栅极-源极电压 (VGS): ±20V
    - 击穿电压 (BVDSS): -60V
    - 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)): 125-140mΩ @ VGS=-10V
    - 前向转导率 (gfs): 5.8S
    - 总栅极电荷 (Qg): 5.85nC

    产品特点和优势


    - 高效能: NTD2955 使用先进的沟槽技术,实现了低至 4.5V 的低栅极电压驱动,从而提高了能效。
    - 卓越的热管理: 热阻 (RθJA) 为 62°C/W,有助于有效的散热,延长器件寿命。
    - 广泛的应用范围: 适用于多种开关应用,如无刷电机、负载开关和不间断电源系统。
    - 高可靠性: 具有较高的雪崩能量 (EAS) 和雪崩电流 (IAS),保证在恶劣环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 无刷电机控制系统: 在无刷电机控制中,NTD2955 可以提供高效的电源开关控制。
    2. 负载开关: 用于电力分配系统中的负载开关,可以快速可靠地切换负载。
    3. 不间断电源系统: 在 UPS 系统中,NTD2955 作为关键组件,确保电力供应的连续性。
    使用建议:
    - 在设计电路时,确保栅极驱动电压不超过 ±20V,以避免过压损坏。
    - 选择合适的散热器,特别是在高功耗应用中,以维持较低的工作温度。
    - 在无刷电机应用中,考虑使用电感和电容滤波器,以减小纹波电压对电路的影响。

    兼容性和支持


    NTD2955 封装为 TO-252-2L,易于集成到各种 PCB 设计中。Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD 提供详尽的技术支持和售后保障,包括产品规格书、样品申请和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 栅极驱动电压过高导致损坏。
    - 解决方案: 确保栅极驱动电压不超过 ±20V,可使用稳压器或分压器进行限幅。

    - 问题: 工作温度过高导致热关断。
    - 解决方案: 采用外部散热器或增加通风措施,确保工作温度保持在允许范围内。

    总结和推荐


    NTD2955 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,适用于多种开关应用。其先进的沟槽技术和低栅极电压驱动使其在能效方面表现优异。此外,其卓越的热管理和广泛的适用性使它成为电力管理系统中的理想选择。对于需要高效、可靠电源开关的应用,我们强烈推荐使用 NTD2955。

NTD2955参数

参数
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

NTD2955厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTD2955数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NTD2955 NTD2955数据手册

NTD2955封装设计

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