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IRF8721PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRF8721PBF SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRF8721PBF

IRF8721PBF概述


    产品简介


    IRF8721PBF N-Channel Enhancement Mode MOSFET
    IRF8721PBF是由华宣阳电子科技有限公司(HUA XUANYANG ELECTRONICS CO.,LTD)生产的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。这款器件采用先进的沟槽技术,具备低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷等特性,可在最低4.5V的栅极电压下工作。其主要应用包括电池保护、负载开关和不间断电源系统等领域。

    技术参数


    以下是IRF8721PBF的主要技术规格:
    - 工作电压: VDS = 30V
    - 连续漏极电流: ID = 15.0A (TC=70℃时为8.2A)
    - 最大瞬态漏极电流: IDM = 42A
    - 最大耗散功率: PD = 1.5W
    - 单脉冲雪崩能量: EAS = 62mJ
    - 绝对最大额定值温度范围: TJ, TSTG = -55°C至150°C
    - 热阻: RθJC = 36°C/W
    电气特性方面:
    - 漏源击穿电压(BVDSS): 30V
    - 静态导通电阻(RDS(ON)):
    - VGS=10V, ID=10A时,典型值为7.5mΩ,最大值为9mΩ
    - VGS=4.5V, ID=8A时,典型值为11mΩ,最大值为14mΩ
    - 栅阈电压(VGS(th)): 1.2V 至 2.5V
    - 总栅极电荷(Qg): 12.6nC至17.6nC
    - 输入电容(Ciss): 1317pF至1845pF
    - 输出电容(Coss): 163pF至228.2pF
    - 反向传输电容(Crss): 131pF至183.4pF

    产品特点和优势


    - 低导通电阻: 无论在10V还是4.5V的栅极电压下,RDS(ON)均低于14mΩ,尤其在VGS=10V时可以达到7.5mΩ。
    - 宽温度范围: 能够在极端温度范围内(-55°C至150°C)稳定工作。
    - 低栅极电荷: Qg仅为12.6nC至17.6nC,可有效降低功耗。
    - 高可靠性: 符合工业标准的额定值和严格的测试条件保证了产品的长期稳定性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电池保护电路: 在电池保护电路中,IRF8721PBF可以通过控制栅极电压来实现精确的电流控制,从而保护电池不受过充或过放的影响。
    2. 负载开关: 利用其高开关速度和低导通电阻,IRF8721PBF可用于负载切换场合,确保高效、可靠的电流控制。
    使用建议:
    1. 选择合适的散热方式: 由于最大功率耗散为1.5W,建议采用适当的散热设计,如增加散热片或使用散热器,以避免因温度过高导致的性能下降。
    2. 控制栅极电压: 确保栅极电压不低于4.5V,以保证最低的导通电阻,从而减少功耗和提高效率。
    3. 注意安全操作: 遵循技术手册中的绝对最大额定值,确保不超出最大极限值以防止损坏。

    兼容性和支持


    IRF8721PBF采用标准SOP-8封装,与常见的电路板焊接工艺兼容,方便集成到现有设计中。华宣阳公司提供全面的技术支持,包括详细的技术文档、样品和应用指南,以及快速响应的客户服务,确保客户能够顺利实施和维护项目。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 导通电阻过高 | 检查是否符合正确的栅极电压要求(VGS>4.5V)。 |
    | 温度过高 | 采取适当的散热措施,确保RθJC在合理范围内。 |
    | 开关速度慢 | 检查外部电路是否影响了栅极电荷的释放。 |

    总结和推荐


    IRF8721PBF是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,在电池保护、负载开关和不间断电源系统等领域具有广泛的应用前景。其低导通电阻、低栅极电荷和宽温度范围使其在众多竞争产品中脱颖而出。建议用户在应用过程中遵循厂商的技术规范和指导,以确保最佳的性能和可靠性。
    综上所述,我们强烈推荐IRF8721PBF用于需要高效、高可靠性的电子设备设计中。

IRF8721PBF参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

IRF8721PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRF8721PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRF8721PBF IRF8721PBF数据手册

IRF8721PBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 1.5045
15000+ ¥ 1.4663
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