处理中...

首页  >  产品百科  >  NTMFS4C290N

NTMFS4C290N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NTMFS4C290N DFN5X6-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NTMFS4C290N

NTMFS4C290N概述

    # NTMFS4C290N N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTMFS4C290N 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., Ltd 制造的N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),属于HXYS品牌的产品系列。这款MOSFET 主要用于电池保护、负载开关和不间断电源等应用领域。NTMFS4C290N 的设计采用先进的沟槽技术,确保了低导通电阻和低栅极电荷特性,使其能够在较低的栅极电压下运行。

    技术参数


    NTMFS4C290N 的主要技术规格如下:
    | 参数 | 规格范围 |

    | 漏源电压 VDS | 30 V |
    | 栅源电压 VGS | ±20 V |
    | 连续漏电流 ID @ 25°C | 80 A |
    | 连续漏电流 ID @ 70°C | 45 A |
    | 脉冲漏电流 IDM | 280 A |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | 56 mJ |
    | 最大功耗 PD @ 25°C | 37 W |
    | 存储温度范围 TSTG | -55 to 150°C |
    | 工作结温范围 TJ | -55 to 150°C |
    | 热阻 RθJA | 130 °C/W |

    产品特点和优势


    NTMFS4C290N 具有以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻(RDS(ON)):在 VGS=10V 和 VGS=4.5V 下分别小于 6mΩ 和 5.4mΩ,这使得其适用于低损耗的应用。
    - 高电流处理能力:连续漏电流高达 80A,峰值可达 280A。
    - 宽工作温度范围:存储和工作温度范围为 -55°C 至 150°C。
    - 快速开关特性:如快速的开关延迟时间和上升时间,适用于高频开关应用。
    - 先进的沟槽技术:提高了整体性能并降低了栅极电荷。
    这些特性使其在电池保护、负载开关及不间断电源等应用场景中具有显著优势,增强了产品的可靠性和效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电池保护:利用其低导通电阻和高可靠性,确保电池系统在极端条件下的安全运行。
    2. 负载开关:适合在需要快速切换的应用中,如直流电机控制和LED驱动。
    3. 不间断电源(UPS):用于提供稳定可靠的电力供应,确保在主电源中断时系统的持续运行。
    使用建议
    1. 温度管理:确保器件在高温环境下正确散热,以避免过热导致性能下降。
    2. 栅极驱动电路:采用合适的栅极驱动器以减少栅极电荷,提高开关速度。
    3. 合理布线:尽量缩短电源路径,减少寄生电感,提升系统效率。

    兼容性和支持


    NTMFS4C290N 封装为 DFN5X6-8L(SO-8-FL-5.8mm),易于与标准 PCB 设计集成。此外,制造商提供全面的技术支持,包括详细的技术文档和专业的客户支持服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 过热问题:
    - 问题:在高负载条件下,器件过热。
    - 解决方法:使用适当的散热片或风扇进行强制冷却,确保符合最大功耗要求。
    2. 噪音问题:
    - 问题:在高频开关应用中出现噪音。
    - 解决方法:增加去耦电容,优化PCB布局,减少寄生电感。
    3. 栅极电压不稳定:
    - 问题:栅极电压波动导致开关特性不一致。
    - 解决方法:采用高质量的栅极驱动器,增加栅极电容以减小噪声干扰。

    总结和推荐


    综合评估
    NTMFS4C290N 在低导通电阻、高电流处理能力和宽工作温度范围等方面表现优异,特别是在电池保护和负载开关应用中显示出强大的竞争力。对于设计工程师来说,它是一个高效、可靠且易于集成的选择。
    推荐
    基于其高性能和广泛适用性,我们强烈推荐 NTMFS4C290N 作为电子系统中关键部件的理想选择。无论是电池管理系统还是高电流负载开关,NTMFS4C290N 都能展现出卓越的性能。

NTMFS4C290N参数

参数
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

NTMFS4C290N厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTMFS4C290N数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NTMFS4C290N NTMFS4C290N数据手册

NTMFS4C290N封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 0.5814
15000+ ¥ 0.5717
25000+ ¥ 0.5572
库存: 720000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 2907
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504