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NVTFS008N04C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NVTFS008N04C DFN3X3-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NVTFS008N04C

NVTFS008N04C概述

    NVTFS008N04C N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVTFS008N04C 是由华宣阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics Co., Ltd)生产的一款增强型N沟道MOSFET。这款MOSFET采用先进的SGT(超薄晶圆栅极技术),具有低RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷、快速开关能力和出色的雪崩特性。适用于消费电子电源、电机控制、同步整流和隔离DC等应用领域。该器件特别设计以提供更好的坚固性和适用性。

    技术参数


    以下是 NVTFS008N04C 的关键技术和电气特性:
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压:VDS = 40V
    - 栅源电压:VGS = ±20V
    - 持续漏极电流:ID = 60A
    - 脉冲漏极电流:ID, pulse = 130A
    - 功率耗散:PD = 39W
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 48mJ
    - 工作和存储温度范围:Tstg,Tj = -55°C to 150°C
    - 结壳热阻:RθJC = 3.2°C/W
    - 结环境热阻:RθJA = 60°C/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压:BVDSS = 40V @ VGS=0V, ID=250uA
    - 静态漏源导通电阻:RDS(ON) < 8.5mΩ @ VGS=10V, ID=12A
    - 栅阈值电压:VGS(th) = 1.35V to 3V @ VGS=VDS, ID=250uA
    - 栅漏充电量:Qg = 5.8nC @ VDS=20V, VGS=4.5V, ID=12A
    - 栅源充电量:Qgs = 3nC
    - 栅漏充电量:Qgd = 1.2nC
    - 开启延时时间:Td(on) = 14.3ns @ VDD=15V, VGS=10V, RG=3.3Ω
    - 上升时间:Tr = 5.6ns
    - 关断延时时间:Td(off) = 20ns
    - 下降时间:Tf = 11ns

    产品特点和优势


    - 低RDS(ON):低导通电阻使NVTFS008N04C 在高电流应用中具有更高的效率。
    - 快速开关:快速开关能力减少了能量损耗和热应力,提高系统可靠性。
    - 优秀的雪崩特性:提高了器件在恶劣条件下的鲁棒性。
    - 低栅极电荷:减少了驱动功率和EMI,提高了整体系统效率。
    - 紧凑封装:采用DFN3X3-8L(WDFN-5(3.3x3.3))封装,适合空间受限的应用。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 消费电子电源:用于电视、电脑和其他家用电器的开关电源。
    - 电机控制:应用于各种电机驱动电路,提高系统的响应速度和可靠性。
    - 同步整流:用于提高DC-DC转换器的效率。
    - 使用建议:
    - 在设计中合理选择驱动电路,以匹配NVTFS008N04C的快速开关特性。
    - 确保电路中的散热设计足够好,以防止过热。
    - 使用合适的封装和布局技术,以最大限度地减少寄生电感和电容。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NVTFS008N04C 可与大多数标准电路板制造工艺兼容。
    - 支持:华宣阳电子有限公司提供详尽的技术支持和售后保障,包括产品手册、设计指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:器件过热。
    - 解决方案:检查散热设计,确保器件工作在允许的温度范围内。
    - 问题2:开关频率过高导致驱动电流不足。
    - 解决方案:增加栅极电阻,减缓开关速度,或者选择更高驱动能力的驱动电路。
    - 问题3:器件在高电流应用中出现过压损坏。
    - 解决方案:加入保护电路,如瞬态电压抑制器(TVS)二极管。

    总结和推荐


    NVTFS008N04C 以其卓越的电气特性和可靠性,非常适合需要高效能和高速度的电力电子应用。通过合理的设计和使用建议,可以最大化其性能。总体来说,这款MOSFET是一款值得推荐的产品,尤其对于要求高性能和高可靠性的应用领域。

NVTFS008N04C参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -

NVTFS008N04C厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NVTFS008N04C数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NVTFS008N04C NVTFS008N04C数据手册

NVTFS008N04C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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15000+ ¥ 1.8054
25000+ ¥ 1.7595
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