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NTTFS4939N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NTTFS4939N DFN3X3-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NTTFS4939N

NTTFS4939N概述

    NTTFS4939N N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTTFS4939N 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。它采用先进的沟槽技术,具有非常低的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷(gate charge),且能在低至 4.5V 的栅极电压下运行。这款 MOSFET 主要适用于电池保护、开关电源以及其他需要高效能转换的应用场景。

    技术参数


    - 额定参数
    - 漏源击穿电压 (VDS):30V
    - 栅源击穿电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):在 25℃ 下为 100A,在 100℃ 下为 70A
    - 脉冲漏电流 (IDM):192A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):144.7mJ
    - 总功率耗散 (PD):在 25℃ 下为 62.5W,在 TA=25℃ 下为 4.5W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55℃ 到 150℃
    - 工作结温范围 (TJ):-55℃ 到 150℃
    - 热阻 (RθJA):结-环境 62℃/W
    - 热阻 (RθJC):结-外壳 2.4℃/W
    - 电气特性
    - RDS(ON) 导通电阻:在 10V 栅极电压和 30A 电流下为 4.5mΩ(典型值)
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.0V 至 2.5V(典型值)
    - 栅极泄漏电流 (IGSS):±100nA
    - 前向跨导 (gfs):26.5S
    - 总栅极电荷 (Qg):31.6nC
    - 输入电容 (Ciss):3075pF

    产品特点和优势


    NTTFS4939N 具备以下显著优势:
    - 低导通电阻:在 10V 栅极电压下的典型导通电阻仅为 4.5mΩ,有助于提高效率。
    - 低栅极电荷:仅需少量能量即可完成开关操作,进一步提高了效率。
    - 宽工作电压范围:能在 30V 的漏源电压下稳定工作。
    - 高可靠性:适用于恶劣环境,能够在广泛的温度范围内正常工作。

    应用案例和使用建议


    NTTFS4939N 在多种应用中都有广泛的应用,如:
    - 电池保护:能够有效地保护电池免受过流和短路的影响。
    - 负载开关:在电源管理系统中用作高效的开关元件。
    - 不间断电源系统:作为核心开关元件,保证系统的稳定运行。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,避免过热。
    - 使用适当的栅极驱动电路以防止过度驱动栅极。
    - 在实际应用中,建议结合具体电路进行详细测试。

    兼容性和支持


    NTTFS4939N 封装为 DFN3X3-8L(WDFN-8(3x3)),可与其他类似封装的产品兼容。Shenzhen HuaXuanYang Electronics 提供技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高电流情况下,MOSFET 过热怎么办?
    - 解决方案:增加外部散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    2. 问题:栅极信号不稳定,影响开关速度怎么办?
    - 解决方案:确保栅极驱动电路设计合理,使用适当的电容器滤波和去耦。
    3. 问题:长期运行时,发现导通电阻增大怎么办?
    - 解决方案:检查电路中的电流和温度,必要时更换散热设计或考虑更换 MOSFET。

    总结和推荐


    NTTFS4939N 是一款高性能、高可靠性的 N 沟道增强型 MOSFET,特别适合于电池保护、负载开关及不间断电源等应用。其低导通电阻、低栅极电荷及宽工作温度范围等优势使其在市场上具有很强的竞争力。经过全面评估,我们强烈推荐使用 NTTFS4939N。如果您需要高效稳定的开关元件,这款产品无疑是一个理想选择。

NTTFS4939N参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

NTTFS4939N厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTTFS4939N数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NTTFS4939N NTTFS4939N数据手册

NTTFS4939N封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.3852
15000+ ¥ 1.3621
25000+ ¥ 1.3274
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