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NVTFS5C478NL

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NVTFS5C478NL DFN3X3-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NVTFS5C478NL

NVTFS5C478NL概述

    高效低阻抗MOSFET——NVTFS5C478NL 技术手册解析

    一、产品简介


    NVTFS5C478NL 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics)生产的 N 沟道增强型超结(SGT)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品采用先进的短沟道技术,具备极低的导通电阻(RDS(ON))、快速开关速度、低门极电荷(Qg)以及卓越的雪崩特性。其典型应用场景包括消费类电源适配器、电机驱动、同步整流及隔离式直流变换器等。

    二、技术参数


    以下为 NVTFS5C478NL 的关键技术指标:
    - 额定电压(VDS):40V
    - 连续漏极电流(ID):60A
    - 脉冲漏极电流(ID, pulse):130A
    - 导通电阻(RDS(ON)):≤8.5mΩ @ VGS=10V
    - 阈值电压(VGS(th)):1.35~3.0V
    - 热阻抗(RθJC):3.2°C/W
    - 最高结温(Tj):-55℃ ~ +150℃
    此外,该产品具有较低的栅极泄漏电流(IGSS ≤ ±100nA)和优异的雪崩能量承受能力(EAS=48mJ),在高可靠性需求场景下表现出色。
    三、产品特点与优势
    1. 超低导通电阻:
    RDS(ON) 值低于 8.5mΩ @ VGS=10V,非常适合高效率的开关电路设计,尤其适用于需要大电流输出的应用场合。
    2. 快速开关性能:
    具备较低的总栅极电荷(Qg=5.8nC),能够实现快速的开通与关断,有效减少功耗并提高系统效率。
    3. 高可靠性与耐用性:
    出色的雪崩特性和最大脉冲能量(EAS=48mJ),使该产品能够在严苛的工作环境中保持稳定运行。
    4. 小型化封装:
    采用紧凑型 DFN3x3-8L 封装(WDFN-5 尺寸:3.3mm×3.3mm),适合对空间要求较高的应用场合。
    四、应用案例与使用建议
    应用场景:
    - 消费类电源适配器:可作为同步整流器件使用,配合高效率 AC/DC 转换模块,大幅降低损耗。
    - 电机控制:适配中小功率电机的驱动电路,提升驱动效率并延长使用寿命。
    - 通信设备电源:广泛应用于隔离式 DC/DC 转换器中,提供高性能且稳定的电力供应。
    使用建议:
    1. 在设计电路时需注意合理的布局布线,以减少寄生电感和电容对性能的影响。
    2. 针对高频开关场景,需添加滤波电容,进一步优化启动与关断特性。
    3. 长时间满载运行时,确保良好的散热条件以避免热失控。
    五、兼容性与支持
    NVTFS5C478NL 与大多数标准电路板兼容,便于集成到现有的电子产品中。同时,深圳华轩阳公司提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速完成产品开发和测试验证。

    六、常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致发热严重 | 优化散热设计,增加外部散热片 |
    | 驱动电压不足导致性能下降 | 确保 VGS 电压达到推荐范围 |
    | 启动瞬间电流过大导致损坏 | 配置限流电阻以保护器件 |
    七、总结与推荐
    NVTFS5C478NL 是一款兼顾高效能与高可靠性的 MOSFET 产品,特别适用于消费电子和工业领域的电源管理及电机控制场景。其出色的导通电阻、开关速度和抗雪崩能力使其成为众多设计工程师的优选。如果您的项目需要高效率、小尺寸且易于集成的解决方案,这款产品无疑是最佳选择。
    推荐指数:★★★★☆
    评分依据:高效率、低功耗、易用性以及市场竞争优势。

NVTFS5C478NL参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -

NVTFS5C478NL厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NVTFS5C478NL数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NVTFS5C478NL NVTFS5C478NL数据手册

NVTFS5C478NL封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.9008
15000+ ¥ 1.8691
25000+ ¥ 1.8216
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