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NTTFS4928N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NTTFS4928N DFN3X3-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NTTFS4928N

NTTFS4928N概述

    NTTFS4928N N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTTFS4928N 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(HXY)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造,旨在提供卓越的 RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷以及能够在低至 4.5V 的门极电压下操作。NTTFS4928N 主要适用于电池保护和开关应用,例如负载开关和不间断电源系统。产品采用 WDFN-8 (3.3x3.3) 封装形式,提供出色的热性能和紧凑的尺寸。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 漏源电压(VDS):30V
    - 连续漏电流(ID):25℃时为80A;100℃时为50A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):144.7mJ
    - 管壳温度范围(TSTG):-55 至 150℃
    - 工作结温范围(TJ):-55 至 150℃
    - 热阻抗(RθJA):162℃/W
    - 热阻抗(RθJC):2.4℃/W
    - 电气特性:
    - 导通电阻(RDS(ON)):10V 时 < 6mΩ
    - 门限电压(VGS(th)):2.5V
    - 前向转移电导(gfs):在 5V 下为 26.5S
    - 总栅极电荷(Qg):在 4.5V 时为 15.2nC

    产品特点和优势


    NTTFS4928N 具有以下几个显著特点:
    1. 低导通电阻:在 10V 时 RDS(ON) < 6mΩ,这意味着在高电流条件下具有更低的功耗。
    2. 高可靠性:通过先进的沟槽技术,确保器件在高电流和高温下的稳定运行。
    3. 低门极电荷:Qg < 15.2nC,降低驱动损耗并提高开关速度。
    4. 宽工作范围:支持高达 30V 的 VDS 和 100℃ 的工作温度范围,适用于多种工业应用。

    应用案例和使用建议


    NTTFS4928N 广泛应用于电池保护、负载开关和不间断电源系统。根据手册中的典型应用实例,可以将其用于以下场景:
    - 负载开关:用于控制电路中的电流流动。
    - 电池保护:在过载或短路情况下快速切断电路,防止损坏。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应充分考虑器件的最大额定值,避免超过极限值,以防损坏。
    - 使用过程中注意散热设计,尤其是在高电流和高温环境下,以确保器件的长期可靠运行。

    兼容性和支持


    NTTFS4928N 与多种电子设备和系统兼容,适用于广泛的应用场景。深圳华轩阳电子有限公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、故障排除和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:导通电阻异常增加
    - 解决方案:检查电路是否存在过热情况,调整散热设计。
    - 问题 2:开关时间不稳定
    - 解决方案:检查栅极电荷和驱动信号,确保驱动信号的稳定性。
    - 问题 3:过压保护失效
    - 解决方案:确认 VDS 是否在安全范围内工作,检查外围电路的设计。

    总结和推荐


    NTTFS4928N 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,具备出色的导通电阻、低栅极电荷和宽工作温度范围。其在电池保护和负载开关等应用中的表现尤为出色。由于其可靠性和高效性,我们强烈推荐将其用于需要高可靠性和低功耗的应用场合。通过合理的散热设计和良好的外围电路布局,可以充分发挥其性能,确保系统的稳定运行。

NTTFS4928N参数

参数
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
FET类型 -

NTTFS4928N厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTTFS4928N数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NTTFS4928N NTTFS4928N数据手册

NTTFS4928N封装设计

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15000+ ¥ 1.3039
25000+ ¥ 1.2708
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