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NVTFWS008N04C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NVTFWS008N04C DFN3X3-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NVTFWS008N04C

NVTFWS008N04C概述

    NVTFWS008N04C N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVTFWS008N04C 是一款由华轩阳电子有限公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件采用先进的SGT(超薄栅极)技术制造,提供了低导通电阻、低门极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。NVTFWS008N04C 主要应用于消费电子电源、电机控制、同步整流及隔离DC等场合。其高可靠性和优异的性能使其成为多种电子设备的理想选择。

    技术参数


    - 电气特性
    - 漏源电压(VDS):40V
    - 持续漏极电流(ID):60A
    - 脉冲漏极电流(ID, pulse):130A
    - 最大功率耗散(PD):39W
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):48mJ
    - 开关时间(Td(on)):14.3ns
    - 上升时间(Tr):5.6ns
    - 关断延迟时间(Td(off)):20ns
    - 下降时间(Tf):11ns
    - 输入电容(Ciss):690pF
    - 输出电容(Coss):193pF
    - 反向传输电容(Crss):38pF
    - 工作温度范围
    - 储存和操作温度(Tstg,Tj):-55°C 至 150°C
    - 热阻抗
    - 结-壳热阻(RθJC):3.2°C/W
    - 结-环境热阻(RθJA):60°C/W

    产品特点和优势


    NVTFWS008N04C 具有以下几个显著特点:
    - 低导通电阻:静态导通电阻(RDS(ON))小于 8.5mΩ(VGS=10V),保证了高效能和低功耗。
    - 快速开关:上升时间和下降时间分别仅为 5.6ns 和 11ns,使得该MOSFET在高频应用中表现出色。
    - 良好的雪崩特性:单脉冲雪崩能量高达 48mJ,提高了电路的稳定性和可靠性。
    - 紧凑封装:采用DFN3X3-8L(WDFN-8(3.3x3.3))封装,适合小型化设计。

    应用案例和使用建议


    NVTFWS008N04C 在以下场景中表现出色:
    - 消费电子电源:适用于小型直流电源转换器和适配器。
    - 电机控制:提供稳定的电流控制,提高电机效率。
    - 同步整流:改善电源转换效率,减少功耗。
    使用建议:
    - 确保电路设计中留有足够的散热空间,以避免过热。
    - 严格遵守电气特性的极限值,避免超出最大额定值导致的损坏。

    兼容性和支持


    NVTFWS008N04C 支持多种电源管理和驱动电路设计,适用于广泛的电子设备。华轩阳电子有限公司提供了详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够正确使用该产品并解决潜在问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备运行时温度过高。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或风扇。
    - 问题:设备频繁重启。
    - 解决方案:检查电源输入是否稳定,确保电源供应满足需求。
    - 问题:设备输出不稳定。
    - 解决方案:确认电路设计无误,适当调整相关参数,确保信号完整性。

    总结和推荐


    NVTFWS008N04C 以其卓越的性能和广泛的适用性,在众多应用场景中表现出色。其紧凑的封装、低功耗和高可靠性使其成为现代电子设备的理想选择。强烈推荐使用 NVTFWS008N04C 用于需要高性能和高可靠性的电路设计中。然而,在涉及生命安全的应用中,如医疗设备或飞机控制系统,请务必先咨询供应商以确保安全合规性。

NVTFWS008N04C参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -

NVTFWS008N04C厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NVTFWS008N04C数据手册

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NVTFWS008N04C封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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15000+ ¥ 1.8054
25000+ ¥ 1.7595
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