处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFH3702PBF

IRFH3702PBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: IRFH3702PBF DFN3X3-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFH3702PBF

IRFH3702PBF概述

    IRFH3702PBF N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFH3702PBF 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 生产的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET)。这款 MOSFET 采用先进的沟槽技术,具有极低的导通电阻 \( R{DS(ON)} \),并可在低至 4.5V 的栅源电压下正常工作。它适用于电池保护、开关应用以及其他电力转换和控制领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 描述 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | \( V{DS} \) | 漏源电压 | V 30
    | \( V{GS} \) | 栅源电压 | V | -20 +20 |
    | \( ID \) | 持续漏电流(\( TC = 25^\circ C \)) | A 60
    | \( ID \) | 持续漏电流(\( TC = 100^\circ C \)) | A 20
    | \( I{DM} \) | 脉冲漏电流 | A 140
    | \( E{AS} \) | 单脉冲雪崩能量 | mJ 115.2
    | \( I{AS} \) | 雪崩电流 | A 48
    | \( PD \) | 总耗散功率(\( TC = 25^\circ C \)) | W 59
    | \( T{STG} \) | 存储温度范围 | °C | -55 150 |
    | \( TJ \) | 工作结温范围 | °C | -55 150 |
    | \( R{\theta JA} \) | 结到环境热阻 | °C/W 62
    | \( R{\theta JC} \) | 结到壳热阻 | °C/W 2.1

    3. 产品特点和优势


    IRFH3702PBF 具有以下显著特点和优势:
    - 先进的沟槽技术:提供极低的 \( R{DS(ON)} \) 和低栅电荷,使得功耗更低,效率更高。
    - 低栅源电压操作:最低操作电压为 4.5V,适合低压应用。
    - 高耐压和大电流能力:漏源电压高达 30V,持续漏电流高达 60A,脉冲漏电流可达 140A。
    - 优良的热性能:结到环境热阻低至 62°C/W,结到壳热阻仅 2.1°C/W,确保良好的散热性能。
    - 广泛的适用性:适用于多种电力转换和控制应用,如电池保护、负载开关和不间断电源系统。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFH3702PBF 广泛应用于电池保护、负载开关、不间断电源系统等领域。以下是一些典型的应用案例和使用建议:
    - 电池保护:在电池管理系统中,该 MOSFET 可以用于过流保护,防止电池过度放电。
    - 负载开关:在电源管理模块中,可以用于控制电路的接通和断开。
    - 不间断电源系统:作为电源切换的关键部件,保证系统的可靠性和稳定性。
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑 MOSFET 的散热问题,特别是在高温环境下使用时要确保良好的散热条件。
    - 使用适当的驱动电路,以确保 MOSFET 正常工作且不会损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该 MOSFET 适用于各种标准电路板和封装,且与其他常用组件兼容。
    - 支持和维护:Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:在高电流条件下,MOSFET 发生过热。
    - 解决方案:增加散热片或改善散热设计,确保 MOSFET 的工作温度不超过最大允许值。
    - 问题 2:MOSFET 开关速度慢。
    - 解决方案:使用合适的驱动电路,提高驱动电压和降低栅电荷时间。
    - 问题 3:MOSFET 漏电流较大。
    - 解决方案:检查电路连接,确保接地良好,避免外部干扰。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IRFH3702PBF 是一款高性能、高可靠性、多功能的 N沟道增强型 MOSFET。其低导通电阻、低栅源电压操作和优秀的热性能使其成为众多电力转换和控制应用的理想选择。对于需要高效率和可靠性的应用场景,强烈推荐使用 IRFH3702PBF。此外,Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 提供的专业技术支持也将为用户的应用带来更大的信心保障。

IRFH3702PBF参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -

IRFH3702PBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFH3702PBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRFH3702PBF IRFH3702PBF数据手册

IRFH3702PBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.4586
15000+ ¥ 1.4343
25000+ ¥ 1.3978
库存: 300000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 7293
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336