处理中...

首页  >  产品百科  >  NVTFWS015N04C

NVTFWS015N04C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NVTFWS015N04C DFN3X3-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NVTFWS015N04C

NVTFWS015N04C概述

    NVTFWS015N04C N-SGT Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NVTFWS015N04C 是一种由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 生产的高性能 N-沟道增强型 MOSFET。该器件采用了先进的 SGT(超薄栅极结构)技术,具备低导通电阻(RDS(ON))、低门极电荷、快速开关和卓越的雪崩特性。这种 MOSFET 主要应用于消费电子电源、电机控制、同步整流和隔离式直流转换等领域。

    2. 技术参数


    以下是 NVTFWS015N04C 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 40 | - | - | V |
    | 门极源极电压 | VGS | ±20 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 60 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | ID, pulse | 130 | - | - | A |
    | 功率耗散 | PD | - | - | 39 | W |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | - | 48 | mJ |
    | 工作温度范围 | Tstg, Tj | -55 | - | 150 | ℃ |
    | 结温到外壳热阻 | RθJC | 3.2 | - | - | °C/W |
    | 结温到环境热阻 | RθJA | - | - | 60 | °C/W |

    3. 产品特点和优势


    NVTFWS015N04C 的核心优势在于其先进的 SGT 技术,这使得它具有非常低的导通电阻(RDS(ON)),仅为 8.5mΩ @ VGS=10V,以及优秀的雪崩特性。这些特点使其在高效率、高速开关的应用场合中表现出色,特别适合于消费电子电源管理和电机控制等应用。

    4. 应用案例和使用建议


    NVTFWS015N04C 可用于多种应用场景,例如消费电子电源和电机控制。在这些应用中,它的低 RDS(ON) 特性可以显著降低功耗并提高系统效率。使用建议如下:
    - 在设计电路时,确保门极驱动信号满足器件的电气要求,以避免超过最大额定值。
    - 选择合适的散热方案,特别是对于大功率应用,需要考虑其热阻特性和散热设计。
    - 为了实现最佳性能,在典型的工作条件下调整门极电压和电流设置。

    5. 兼容性和支持


    NVTFWS015N04C 采用 DFN3X3-8L 封装形式,这种封装标准而紧凑,便于集成。制造商提供了详细的文档和支持,包括电路图和测试数据,以帮助客户进行有效的设计和应用开发。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是一些常见的使用问题及相应的解决方案:
    - 问题:如何确定门极驱动电压?
    解答: 门极驱动电压应根据 VGS(th) 的阈值电压设定。一般情况下,VGS 应大于 1.35V(阈值电压),通常建议 VGS 设为 10V 以确保可靠导通。
    - 问题:如何处理过载情况下的热保护?
    解答: 应确保散热设计符合 RθJC 和 RθJA 的热阻参数,特别是在高负载条件下。同时,可以考虑使用外部散热器或改进 PCB 散热设计来提高热管理能力。

    7. 总结和推荐


    NVTFWS015N04C 是一款高性能的 N-沟道增强型 MOSFET,具备出色的导通电阻和开关特性,适用于多种高效率应用。该器件的优点包括低导通电阻、高可靠性以及紧凑的封装设计。基于以上分析,强烈推荐 NVTFWS015N04C 用于需要高效和可靠的功率转换的应用场景。

NVTFWS015N04C参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -

NVTFWS015N04C厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NVTFWS015N04C数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NVTFWS015N04C NVTFWS015N04C数据手册

NVTFWS015N04C封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.62
15000+ ¥ 1.593
25000+ ¥ 1.5525
库存: 720000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 8100
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831