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BSZ0904NSI

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: BSZ0904NSI DFN3X3-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) BSZ0904NSI

BSZ0904NSI概述

    BSZ0904NSI N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    BSZ0904NSI 是由深圳华轩阳电子有限公司(HXY)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽技术,能够提供低至 4.5V 的栅极电压驱动,同时具备低 RDS(ON) 和低门极电荷的特点。该器件适用于电池保护和开关应用。

    技术参数


    以下是 BSZ0904NSI 的关键技术和性能参数:
    | 参数符号 | 参数名称 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏-源击穿电压 | VGS=0V, ID=250uA | 30 | - | - | V |
    | RDS(ON) | 静态漏-源导通电阻 | VGS=10V, ID=30A | - | 5.5 | - | mΩ |
    | VGS(th) | 门限电压 | VGS=VDS, ID=250uA | 1.0 | - | 2.5 | V |
    | ID | 持续漏电流 | TC=25℃ | - | 100 | - | A |
    | IDM | 脉冲漏电流 | - | - | 192 | - | A |
    | PD | 总功耗 | TC=25℃ | - | 62.5 | - | W |
    | PD | 总功耗 | TA=25℃ | - | 4.5 | - | W |
    | RθJA | 热阻 | - | - | 62 | - | ℃/W |
    | RθJC | 热阻 | - | - | 2.4 | - | ℃/W |
    | TJ | 工作结温范围 | - | -55 | - | 150 | ℃ |

    产品特点和优势


    1. 先进的沟槽技术:能够实现低 RDS(ON) 和低门极电荷。
    2. 低门极电压驱动:最低可至 4.5V。
    3. 高耐压能力:最高可达 30V。
    4. 大电流承载能力:持续漏电流高达 100A,脉冲漏电流为 192A。
    5. 低热阻:典型值为 2.4 ℃/W,有助于更好的散热管理。
    6. 宽工作温度范围:存储温度范围 -55 到 150℃,工作温度范围相同。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池保护电路
    - 开关电源电路
    - 不间断电源(UPS)
    使用建议:
    1. 在设计电池保护电路时,确保栅极电压不超过 20V,以免损坏器件。
    2. 使用大功率电路时,需要确保良好的散热措施,以避免过热现象。
    3. 对于高温环境的应用,建议使用更大散热片或散热风扇来提高散热效率。

    兼容性和支持


    BSZ0904NSI 采用 DFN3X3-8L 封装,适用于多种 PCB 设计。深圳华轩阳电子有限公司提供了详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 器件温度过高 | 加大散热片或使用散热风扇。 |
    | 栅极电压超出规定范围 | 检查并调整栅极驱动电路。 |
    | 电流过大导致过热 | 减少负载电流,增加散热措施。 |

    总结和推荐


    综上所述,BSZ0904NSI N-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有出色的 RDS(ON)、低门极电荷和较低的工作门极电压。它特别适合用于电池保护和开关应用,尤其是在需要高效能、良好散热管理和低功耗的应用环境中。推荐在设计相关应用时优先考虑使用此产品。
    通过严格的技术指标和广泛的应用场景,BSZ0904NSI 展现出了其卓越的性能和可靠性,值得在各种电力转换和控制场合中广泛应用。

BSZ0904NSI参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
FET类型 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -

BSZ0904NSI厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

BSZ0904NSI数据手册

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BSZ0904NSI封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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15000+ ¥ 1.0532
25000+ ¥ 1.0264
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