处理中...

首页  >  产品百科  >  NVTFS4C10N

NVTFS4C10N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NVTFS4C10N DFN3X3-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NVTFS4C10N

NVTFS4C10N概述

    # HXY NVTFS4C10N N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HXY NVTFS4C10N 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产的高性能 N 沟道增强型 MOSFET,采用先进的沟槽工艺技术制造,具有低导通电阻(RDS(ON))、低门极电荷和宽泛的工作电压范围等特点。该器件非常适合用于电池保护、负载开关、不间断电源(UPS)以及其他开关应用中。其卓越的性能使其成为现代电子系统设计的理想选择。

    技术参数


    以下是 NVTFS4C10N 的关键技术规格:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 (BVDSS) | 30 V |
    | 静态漏源导通电阻 (RDS(ON)) 6 | 8 | mΩ |
    | 栅极阈值电压 (VGS(th)) | 2.5 V |
    | 最大连续漏电流 (ID) 80 A |
    | 最大脉冲漏电流 (ISM) 162 A |
    | 栅极-源极漏电流 (IGSS) ±100 nA |
    | 热阻 (RθJA) | 1 62 | °C/W |
    其他关键参数还包括:
    - 工作温度范围:-55 至 +150°C
    - 存储温度范围:-55 至 +150°C
    - 输入电容 (Ciss):4000 pF
    更多详细信息可参见技术手册图表。

    产品特点和优势


    特点
    1. 高效率:低 RDS(ON) 和低 Qg 提供高效能表现。
    2. 可靠性:通过先进的沟槽技术确保长期稳定运行。
    3. 宽电压范围:支持低至 4.5V 的门极驱动电压,适合多种应用场景。
    优势
    - 低功耗:降低系统整体能耗,提升能效比。
    - 快速开关:优秀的切换性能适用于高频电路设计。
    - 紧凑封装:DFN3X3-8L 封装仅占用很小的 PCB 空间。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NVTFS4C10N 可广泛应用于以下领域:
    - 电池保护:提供可靠的过流保护功能。
    - 负载开关:用于控制高电流负载的接通与断开。
    - 不间断电源(UPS):确保电力供应的持续性和稳定性。
    使用建议
    为了最大化性能并减少故障风险,请遵循以下建议:
    1. 在高温环境下使用时,需注意散热措施以防止热失控。
    2. 确保正确的门极驱动电压设置,避免超出额定值。
    3. 定期检测和维护电路板,特别是在恶劣工作环境中。

    兼容性和支持


    NVTFS4C10N 具备良好的行业标准兼容性,并且得到制造商的技术支持。如有任何疑问或技术支持需求,可通过官方网站 www.hxymos.com 联系客服。

    常见问题与解决方案


    问题 1:如何确定最佳工作温度?
    解答:查阅技术手册中提供的典型特性图,根据实际应用选择合适的工作温度范围。
    问题 2:如何处理过温保护?
    解答:增加外部散热片或改善通风条件,确保温度保持在安全范围内。

    总结和推荐


    综上所述,NVTFS4C10N 是一款高效、可靠且灵活的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于多种电子设备中。它不仅具备优异的技术指标,还提供了全面的支持服务。对于需要高性能、低成本解决方案的设计工程师来说,这款产品是一个值得推荐的选择。建议在涉及高精度和稳定性要求的应用中优先考虑此款器件。

NVTFS4C10N参数

参数
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

NVTFS4C10N厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NVTFS4C10N数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NVTFS4C10N NVTFS4C10N数据手册

NVTFS4C10N封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.769
15000+ ¥ 1.7396
25000+ ¥ 1.6953
库存: 720000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 8845
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336