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FDMC8884

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: FDMC8884 DFN3X3-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDMC8884

FDMC8884概述

    # FDMC8884 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDMC8884 是由华宣阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET。该产品采用先进的沟槽工艺制造,提供出色的 RDS(ON)(静态漏源导通电阻)、低栅极电荷,并能在最低 4.5V 的栅极电压下正常工作。FDMC8884 主要应用于电池保护、负载开关及不间断电源系统等领域。

    技术参数


    - 封装类型:DFN3X3-8L(DFN-8,3.3x3.3)
    - 基本参数
    - VDS(漏源电压):30V
    - ID(连续漏电流):20A(TJ=25℃),8A(TJ=100℃)
    - IDM(脉冲漏电流):38A
    - EAS(单脉冲雪崩能量):28mJ
    - IAS(雪崩电流):13.8A
    - PD(总功耗):5.5W(TJ=25℃)
    - 存储温度范围:-55℃至175℃
    - 工作结温范围:-55℃至175℃
    - 电气特性
    - RDS(ON)(静态漏源导通电阻):20mΩ(VGS=10V),29mΩ(VGS=4.5V)
    - VGS(th)(栅阈电压):1.0V至2.5V
    - Ciss(输入电容):490pF(VDS=15V,VGS=0V,f=1.0MHz)
    - Qg(总栅极电荷):10nC(VDS=15V,ID=5.8A,VGS=10V)

    产品特点和优势


    FDMC8884 在技术上具有以下优势:
    - 高性能:在 10V 时 RDS(ON) 低至 20mΩ,这使得它非常适合需要低电阻的应用。
    - 低栅极电荷:Qg 仅为 10nC,有助于提高电路效率。
    - 宽工作电压范围:能够在最低 4.5V 的电压下工作,适用于多种应用场合。
    - 可靠性高:能够承受高达 38A 的脉冲电流,且在恶劣环境下仍能稳定工作。


    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护:FDMC8884 可以用于防止电池过载和短路,延长电池寿命。
    - 负载开关:在需要快速切换的应用中表现出色,如开关电源管理。
    - 不间断电源系统:为系统提供稳定的电力供应,确保关键任务的持续运行。
    使用建议
    - 散热设计:由于高电流通过,应合理设计散热系统,避免热失控。
    - 测试验证:在实际使用前,应对产品进行充分测试,确保其在具体应用场景中的可靠性和稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:FDMC8884 具有标准的 DFN3X3-8L 封装,易于集成到现有的 PCB 设计中。
    - 支持服务:华宣阳电子有限公司提供详细的技术文档和在线支持,用户可以通过官网了解更多相关信息。

    常见问题与解决方案


    1. Q:FDMC8884 是否适合高温环境?
    - A: 是的,该产品的工作结温范围可达 -55℃至175℃,适用于广泛的温度范围。
    2. Q:如何确保 FDMC8884 的长期稳定运行?
    - A: 建议定期检查散热系统,并遵循手册中的所有安全指导措施。

    总结和推荐


    FDMC8884 N 沟道增强型 MOSFET 是一款高效、可靠的产品,特别适用于需要低电阻和高效率的应用。其出色的电气特性和宽泛的工作范围使其成为众多领域的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要严格控制和高效运作的应用场合。华宣阳电子有限公司提供的技术支持和服务也是选用此产品的一大亮点。

FDMC8884参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -

FDMC8884厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDMC8884数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDMC8884 FDMC8884数据手册

FDMC8884封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.215
15000+ ¥ 1.1948
25000+ ¥ 1.1644
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