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NVTFS4C25N

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述:
供应商型号: NVTFS4C25N DFN3X3-8L
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NVTFS4C25N

NVTFS4C25N概述


    产品简介


    NVTFS4C25N N-Channel Enhancement Mode MOSFET
    NVTFS4C25N 是一款采用先进沟槽技术制造的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于电池保护和开关应用。其设计旨在提供极低的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷和能够在低至 4.5V 的栅极电压下工作的能力。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):30V
    - 最大栅源电压 (VGS):±20V
    - 连续漏电流 (ID):25°C 下为 60A,100°C 下为 20A
    - 脉冲漏电流 (IDM):140A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):115.2mJ
    - 总功耗 (PD):25°C 下为 59W
    - 热阻 (RθJA):162°C/W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55 至 150°C
    - 工作结温范围 (TJ):-55 至 150°C
    - 静态导通电阻 (RDS(ON)): 在 10V 栅源电压下为 8mΩ,4.5V 栅源电压下为 10mΩ

    产品特点和优势


    - 先进的沟槽技术:使得 NVTFS4C25N 在低至 4.5V 的栅极电压下仍能正常工作。
    - 超低导通电阻:典型值为 8mΩ@10V,确保高效的电源转换。
    - 低栅极电荷:提升开关速度并降低功耗。
    - 优异的可靠性:适用于电池保护、负载开关及不间断电源等关键应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池保护:防止过载和短路,提高系统的安全性和稳定性。
    - 负载开关:高效控制电流的通断,适用于各种电路设计。
    - 不间断电源:确保电力供应的连续性和稳定性。
    使用建议:
    - 确保在额定电压和电流范围内使用,避免超过最大额定值。
    - 在高温环境下使用时,需特别注意散热措施,以保持设备稳定运行。

    兼容性和支持


    NVTFS4C25N 采用 WDFN-8(3x3) 封装,易于安装和集成。该产品可与市面上主流的电子元件和其他设备兼容,提供广泛的应用灵活性。华轩阳电子公司提供全面的技术支持和维护服务,确保客户在使用过程中获得最佳体验。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 产品在高电流情况下出现发热严重?
    - 解决方案: 增加散热片或使用外部冷却系统,确保符合散热要求。

    - 问题: 开关频率较高时,电路不稳定?
    - 解决方案: 调整栅极驱动电路,确保正确的栅极电荷和驱动电压。

    - 问题: 产品在极端温度条件下无法正常工作?
    - 解决方案: 确保工作环境在规定的温度范围内,适当增加外部热管理措施。

    总结和推荐


    综合评估:
    NVTFS4C25N N-Channel Enhancement Mode MOSFET 具有出色的性能指标和广泛的适用范围。其低导通电阻和低栅极电荷特性使其成为电池保护、负载开关和不间断电源应用的理想选择。尽管其应用场景广泛,但需要严格遵守工作条件,以保证长期稳定运行。
    推荐使用:
    对于需要高性能、高可靠性的电源管理和控制应用,NVTFS4C25N 是一个值得推荐的选择。然而,在进行设计前,建议详细了解具体应用场景的需求,并咨询专业的技术支持团队,确保其在特定系统中能够达到最佳效果。

NVTFS4C25N参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -

NVTFS4C25N厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NVTFS4C25N数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NVTFS4C25N NVTFS4C25N数据手册

NVTFS4C25N封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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15000+ ¥ 1.5866
25000+ ¥ 1.5463
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