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IRFHM9331TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款高性能P沟道消费级MOSFET采用超紧凑DFN3X3-8L封装,专为高功率密度和大电流应用设计。具备30V额定电压及高达40A的连续电流处理能力,特别适用于电池保护、电源开关以及高效电源转换场景,提供卓越的能效表现与优秀的热管理性能,是现代小型化电子设备的理想之选。
供应商型号: IRFHM9331TRPBF PQFN(3X3)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFHM9331TRPBF

IRFHM9331TRPBF概述

    # 电子元器件技术手册:IRFHM9331TRPBF

    产品简介


    基本信息
    产品名称: IRFHM9331TRPBF
    制造商: 深圳华轩阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics Co., Ltd)
    官方网站: [www.hxymos.com](http://www.hxymos.com)
    产品类型
    产品类型: P-Channel Enhancement Mode MOSFET
    封装类型: DFN3X3-8L (PQFN(3x3))
    尺寸: 3.35mm x 3.35mm (参考尺寸图)
    主要功能
    高侧开关: 适用于全桥转换器中的高侧开关
    主要应用: LCD显示器的DC/DC转换器、电池管理电路、电机控制等

    技术参数


    绝对最大额定值
    - VDS: 漏源电压 = -30V
    - VGS: 栅源电压 = +20V
    - ID (Tj=25°C): 漏电流 = -40A
    - ID (Tj=70°C): 漏电流 = -25A
    - IDM: 脉冲漏电流 = 120A
    - PD (Tj=25°C): 总功率耗散 = 15W
    - TSTG: 存储温度范围 = -55°C 到 150°C
    - TJ: 工作结温范围 = -55°C 到 150°C
    - Rthj-c: 结到壳的最大热阻 = 6°C/W
    - Rthj-a: 结到环境的最大热阻 = 366°C/W
    静态电气特性
    - V(BR)DSS: 漏源击穿电压 = -30V (VGS=0V, ID=-250μA)
    - IDSS: 零栅极电压漏电流 = -1μA (VDS=-30V, VGS=0V)
    - IGSS: 栅体漏电流 = ±100nA (VDS=0V, VGS=±20V)
    - VGS(th): 栅阈电压 = -1.0V 至 -2.5V (VDS=VGS, ID=-250μA)
    - RDS(on) (VGS=-10V, ID=-10A): 漏源导通电阻 = 15mΩ (典型值)
    - RDS(on) (VGS=-4.5V, ID=-5A): 漏源导通电阻 = 26mΩ (典型值)
    - Ciss: 输入电容 = 1330pF (VDS=-15V, VGS=0V, f=1.0MHz)
    - Coss: 输出电容 = 183pF
    - Crss: 反向传输电容 = 156pF
    - Qg: 总栅极电荷 = 22nC (VDS=-15V, ID=-5A, VGS=-10V)
    - Qgs: 栅源电荷 = 1.0nC
    - Qgd: 栅漏电荷 = 1.8nC
    - td(on): 导通延迟时间 = 9ns (VDD=-15V, ID=-10A, VGS=-10V, RGEN=2.5Ω)
    - tr: 导通上升时间 = 13ns
    - td(off): 关断延迟时间 = 48ns
    - tf: 关断下降时间 = 20ns
    - IS: 最大连续漏源二极管正向电流 = -40A
    - ISM: 最大脉冲漏源二极管正向电流 = -90A
    - VSD: 漏源二极管正向电压 = -0.8V 至 -1.2V (VGS=0V, IS=-15A)
    - trr: 反向恢复时间 = 64ns (TJ=25°C, VDD=-24V, IF=-2.8A, dI/dt=-100A/μs)
    - Qrr: 反向恢复电荷 = 25nC

    产品特点和优势


    特点
    1. 先进的沟槽技术: 采用先进沟槽技术以提供低导通电阻。
    2. 出色的RDS(ON): 漏源导通电阻低至15mΩ(VGS=-10V),在高温条件下依然保持较低的RDS(ON),适合高电流负载应用。
    3. 低温漂移: 具有低温度系数的导通电阻,确保在广泛的工作温度范围内保持稳定的性能。
    4. 高可靠性: 适用于LCD显示器的DC/DC转换器等应用,确保系统稳定运行。
    5. 高效的热管理: 结到环境的最大热阻为366°C/W,能有效散热,确保长时间工作稳定性。
    优势
    1. 卓越的电流处理能力: 能承受高达120A的脉冲电流。
    2. 宽工作温度范围: -55°C 到 150°C,适用于严苛环境。
    3. 集成封装: 体积小,易于集成到各种设计中。
    4. 快速开关: 具有快速的开关速度,适合高频开关应用。
    5. 高可靠性: 拥有较高的可靠性和较长的使用寿命,适用于工业和汽车级应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - LCD显示器的DC/DC转换器: 该器件可以用于控制LCD显示器的电源管理系统。
    - 电池管理电路: 在电池管理电路中作为高侧开关,实现电池充放电的控制。
    - 电机控制系统: 在电机控制系统中用于控制电机的启动和停止。
    使用建议
    1. 适当散热: 由于器件具有较高的热阻,建议在PCB设计时加入散热片或铜箔来提高散热效率。
    2. 避免过压: 尽量避免超过额定电压,特别是在脉冲条件下,避免损坏器件。
    3. 合理布局: 为减少杂散电感,栅极引脚应尽可能短且靠近驱动器输出端。

    兼容性和支持


    兼容性
    该器件可与其他标准MOSFET器件兼容,适用于多种电路设计。
    支持
    制造商提供详细的技术文档和支持服务,包括产品规格书、应用指南和技术支持团队。如需更多帮助,可以直接联系制造商的服务热线或访问其官网。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决办法
    1. 问: 设备在高温环境下运行时,电流不稳定。
    答: 确保散热设计良好,可以考虑添加散热片或增大铜箔面积,改善散热条件。
    2. 问: 设备在脉冲电流情况下损坏。
    答: 检查脉冲电流是否超过了器件的最大脉冲漏电流额定值,确保符合器件的规格要求。
    3. 问: 设备工作过程中出现发热现象。
    答: 检查是否有足够的散热措施,确保设备在正常工作温度范围内运行。

    总结和推荐


    产品评估
    - 主要优点: 高可靠性、宽工作温度范围、低导通电阻、快速开关速度、体积小巧。
    - 推荐程度: 强烈推荐
    该产品在高电流应用领域表现出色,尤其是在LCD显示器、电池管理和电机控制等方面具有广泛应用前景。其独特的技术和设计使其成为高性能电子系统的理想选择。如果您正在寻找一款高性能、高可靠性的MOSFET,IRFHM9331TRPBF是您的不二之选。

IRFHM9331TRPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -

IRFHM9331TRPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFHM9331TRPBF数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRFHM9331TRPBF IRFHM9331TRPBF数据手册

IRFHM9331TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 1.5444
15000+ ¥ 1.5187
25000+ ¥ 1.4801
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