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IRFR7546TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装,专为高电流应用设计。额定电压60V,具备高达80A的连续电流承载能力,尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率开关电路,提供低导通电阻与高效能表现,是现代电子设备实现卓越功率控制的理想之选。
供应商型号: IRFR7546TRPBF TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFR7546TRPBF

IRFR7546TRPBF概述

    IRFR7546TRPBF: 技术手册详解

    1. 产品简介


    IRFR7546TRPBF是由深圳华宣阳电子有限公司生产的N沟道增强型MOSFET。这款MOSFET采用先进的沟槽技术制造,具有出色的低导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷,能够在低至4.5V的门极电压下正常工作。它适用于电池保护、开关电路以及其他切换应用。

    2. 技术参数


    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):60V
    - 持续漏电流 (ID):25℃时为80A,100℃时为43A
    - 最大脉冲漏电流 (IDM):272A
    - 雪崩电流 (IAS):28A
    - 总功率耗散 (PD):25℃时为104W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55℃至150℃
    - 工作结温范围 (TJ):-55℃至150℃
    - 热阻 (RθJA):162.5℃/W
    - 静态特性
    - 漏源导通电阻 (RDS(ON)):10V时为6mΩ,4.5V时为8.3mΩ
    - 门限电压 (VGS(th)):1V至3V
    - 前向跨导 (gfs):71S
    - 栅源漏电流 (IDSS):10uA
    - 栅源漏电流 (IS=48V, VGS=0V):250uA
    - 栅源漏电流 (IGSS):100nA
    - 总门极电荷 (Qg):33nC至45nC
    - 上升时间 (tr):43ns
    - 反向恢复时间 (trr):30ns

    3. 产品特点和优势


    IRFR7546TRPBF的显著特点是其出色的低导通电阻和低门极电荷,使其非常适合电池保护和开关电路的应用。它能够在低至4.5V的电压下工作,进一步增强了其在多种应用场景下的灵活性和可靠性。此外,其高连续漏电流和大功率耗散能力使其在高负载情况下也能稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFR7546TRPBF在电池保护、负载开关和不间断电源(UPS)等应用中表现优异。例如,在电池保护应用中,它可以有效地防止电池过充或过放。在负载开关应用中,它能提供快速响应和低损耗的切换操作。为了优化其性能,建议在设计电路时充分考虑其热管理措施,确保其在高温环境下仍能稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    IRFR7546TRPBF采用标准的TO-252-2封装,与大多数通用MOSFET电路兼容。深圳华宣阳电子有限公司为其提供了详尽的技术支持和售后服务,包括产品咨询、技术文档和技术培训,以帮助客户更好地理解和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:产品在高温环境下工作不稳定
    - 解决办法:检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或改善散热环境。
    - 问题:产品出现异常的漏电流
    - 解决办法:检查门极驱动信号是否正确,确保电压和电流在额定范围内。
    - 问题:产品在切换时响应时间较长
    - 解决办法:检查门极电荷和驱动电路是否匹配,必要时调整驱动电阻。

    7. 总结和推荐


    综上所述,IRFR7546TRPBF是一款性能卓越、应用广泛的N沟道增强型MOSFET。其出色的低导通电阻、低门极电荷以及广泛的温度适用范围使其成为电池保护、负载开关和不间断电源等应用的理想选择。我们强烈推荐此产品用于需要高性能和高可靠性的电子电路中。

IRFR7546TRPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252-2L

IRFR7546TRPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFR7546TRPBF数据手册

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IRFR7546TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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7500+ ¥ 1.6048
12500+ ¥ 1.564
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