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BSS205NH6327

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用小型SOT-23封装,专为低电压、中等电流应用设计。额定击穿电压20V,可稳定承载2.8A连续电流,尤其适用于便携式设备、电源管理模块及负载开关电路,提供卓越的导通性能与低功耗表现,是现代电子设备的理想集成组件。
供应商型号: BSS205NH6327 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) BSS205NH6327

BSS205NH6327概述

    BSS205NH6327 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    BSS205NH6327 是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由华宣阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics Co., Ltd)生产。该产品采用先进的沟槽技术,具有非常低的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,适用于电池保护、开关应用和其他电子系统。其典型应用包括电池保护、负载开关和不间断电源(UPS)。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压 (VDS): 20V
    - 栅源电压 (VGS): ±12V
    - 连续漏电流 (ID): 2.8A
    - 脉冲漏电流 (IDM): 16A
    - 最大功耗 (PD): 0.9W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 150°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient, RθJA): 139°C/W
    - 电气特性:
    - 漏源击穿电压 (BVDSS): 20V (最小值) - 22V (最大值)
    - 零栅电压漏电流 (IDSS): 1μA (最大值)
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ±100nA (最大值)
    - 栅阈电压 (VGS(th)): 0.5V (最小值) - 1.2V (最大值)
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS=2.5V, ID=2A: 44mΩ (典型值) - 56mΩ (最大值)
    - VGS=4.5V, ID=2.8A: 35mΩ (典型值) - 40mΩ (最大值)
    - 前向跨导 (gFS): 8S (典型值)
    - 输入电容 (Clss): 260pF (典型值)
    - 输出电容 (Coss): 48pF (典型值)
    - 反向转移电容 (Crss): 27pF (典型值)
    - 开启延迟时间 (td(on)): 2.5ns (典型值)
    - 上升时间 (tr): 3.2ns (典型值)
    - 关断延迟时间 (td(off)): 21ns (典型值)
    - 关断下降时间 (tf): 3ns (典型值)
    - 总栅极电荷 (Qg): 2.9nC (典型值) - 5nC (最大值)
    - 栅源电荷 (Qgs): 0.4nC (典型值)
    - 栅漏电荷 (Qgd): 0.6nC (典型值)
    - 二极管正向电压 (VSD): 0.75V (最小值) - 1.2V (最大值)
    - 二极管正向电流 (IS): 3.3A (最大值)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: RDS(ON) < 40mΩ @ VGS=4.5V,适合于高效率应用。
    - 低栅极电荷: 有助于降低功耗和提高开关速度。
    - 宽工作电压范围: 支持2.5V的最低栅极电压,使得该器件适用于各种低电压电路。
    - 高可靠性: 绝对最大额定值提供可靠的设计余量。
    - 适用于多种应用: 包括电池保护、负载开关和不间断电源。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 电池保护:用于防止过流和过压情况。
    - 负载开关:应用于需要快速切换的应用场景。
    - 不间断电源(UPS):确保在主电源故障时的平稳过渡。
    使用建议:
    - 在使用该MOSFET进行设计时,需考虑其热特性,特别是在高电流条件下,必须合理设计散热机制以避免过热。
    - 对于电池保护应用,建议采用低RDS(ON)值的MOSFET以减少功率损耗并提高效率。
    - 在负载开关应用中,可以利用低栅极电荷来提高开关速度,减少功耗。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该MOSFET采用SOT-23封装,易于集成到现有电路中,且与多种微控制器和驱动电路兼容。
    支持:
    - 华宣阳电子有限公司提供详尽的技术支持和售后服务,用户可以通过官方网站获取更多资源和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    1. 问题: 设备过热。
    - 解决方案: 增加散热措施,如使用散热片或改进电路设计以减少功耗。
    2. 问题: 开关速度慢。
    - 解决方案: 减少负载,或优化电路设计以降低RDS(ON)值。
    3. 问题: 二极管正向电压过高。
    - 解决方案: 检查电路连接,确保符合电路设计要求。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - BSS205NH6327 是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,非常适合应用于电池保护、负载开关和不间断电源等领域。
    - 在选择该产品时,用户应充分考虑其工作条件和设计需求,以充分发挥其优势。
    推荐使用:
    - 由于其出色的性能和广泛的应用范围,BSS205NH6327 是值得推荐的选择,尤其适用于需要高效率和低功耗的应用场景。

BSS205NH6327参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 SOT-23

BSS205NH6327厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

BSS205NH6327数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BSS205NH6327 BSS205NH6327数据手册

BSS205NH6327封装设计

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