处理中...

首页  >  产品百科  >  IRFB4410ZPBF

IRFB4410ZPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款TO-220封装的N沟道消费级MOSFET,专为处理高电压、大电流应用场景设计。额定电压100V,能承载70A连续电流,适合于电源转换器、电机驱动及各类高压负载开关应用,提供低导通电阻和卓越的散热性能,是构建高效能电子系统时的理想功率半导体器件。
供应商型号: IRFB4410ZPBF TO-220AB
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFB4410ZPBF

IRFB4410ZPBF概述

    IRFB4410ZPBF N-SGT Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IRFB4410ZPBF 是一种由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 生产的增强模式N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。它具备优秀的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,可在最低4.5V的栅极电压下运行。IRFB4410ZPBF 非常适用于电池保护及其它开关应用场合。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS): 100V
    - 连续漏极电流 (ID): 70A
    - 导通电阻 (RDS(ON)): 10.5mΩ @ VGS=10V
    - 存储温度范围 (TSTG): -55°C 至 150°C
    - 热阻 (RθJA): 164°C/W
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 280A
    - 输入电容 (Ciss): 1368pF
    - 输出电容 (Coss): 451pF
    - 反向传输电容 (Crss): 12.9pF
    - 二极管正向电压 (VSD): 1.2V
    - 反向恢复时间 (trr): 103nS

    3. 产品特点和优势


    IRFB4410ZPBF 的主要特点是其低栅极电荷和高功率处理能力。由于采用了先进的沟槽技术,IRFB4410ZPBF 在较低的栅极电压(如4.5V)下依然能够提供非常低的导通电阻,这使得它在众多应用中表现优异。例如,在电池保护和负载开关电路中,IRFB4410ZPBF 可以显著提高系统的效率和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    IRFB4410ZPBF 的典型应用包括电池保护电路、负载开关和不间断电源系统。在这些应用中,它可以通过低导通电阻和高可靠性来提高整个系统的性能。为了确保最佳性能,建议用户根据具体的应用需求进行合适的电路设计,并注意散热管理以避免因过热而损坏。

    5. 兼容性和支持


    IRFB4410ZPBF 采用 TO-220 封装标准,可以轻松集成到现有的电路板设计中。制造商提供了详尽的技术支持文档,包括安装指南和常见问题解答,用户可以根据需要联系技术支持获取更多帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定合适的栅极驱动电压?
    - 解决方案:根据 IRFB4410ZPBF 的技术手册,栅极驱动电压应设置为至少4.5V,建议使用10V以获得更低的导通电阻。

    - 问题:如何确保设备在高温环境下正常运行?
    - 解决方案:在设计电路时考虑热管理,如增加散热片或选择具有更高热阻值的封装。此外,定期监测设备的温度,确保不超过最高工作温度(150°C)。

    7. 总结和推荐


    IRFB4410ZPBF 以其出色的导通电阻和低栅极电荷特性,成为适用于多种电子应用的理想选择。特别是对于要求高效率和可靠性的场合,IRFB4410ZPBF 表现卓越。强烈推荐此款产品用于电池保护和开关电源等应用中。请注意,在应用过程中遵守所有安全规范,并进行充分测试以确保设备在预期环境中稳定运行。

IRFB4410ZPBF参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
最大功率耗散 100W
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 10.5mΩ
栅极电荷 31.3nC
Id-连续漏极电流 70A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
FET类型 -
通用封装 TO-220
应用等级 工业级

IRFB4410ZPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFB4410ZPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF数据手册

IRFB4410ZPBF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ ¥ 1.6128
150+ ¥ 1.5859
250+ ¥ 1.5456
库存: 300000
起订量: 100 增量: 50
交货地:
最小起订量为:50
合计: ¥ 80.64
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336