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BSC026NE2LS5

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 此款N沟道消费级MOSFET采用紧凑DFN5X6-8L封装,专为大电流应用设计。额定电压30V,具备高达150A连续电流承载能力,广泛应用于电源转换、电池管理系统及高功率电子设备,提供出色的导通效率与卓越散热性能,是现代高效能系统的关键半导体组件。
供应商型号: BSC026NE2LS5 TDSON-8(5.9X5.2)
供应商: 国内现货
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) BSC026NE2LS5

BSC026NE2LS5概述

    BSC026NE2LS5 N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    BSC026NE2LS5 是一款由深圳华轩阳电子有限公司(HuaxuanYang Electronics)生产的 N-Channel 增强模式 MOSFET。该器件采用先进的沟槽工艺,具备低导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷(Gate Charge),适用于多种应用场合,如电池保护、负载开关、不间断电源系统等。通过先进的技术手段,BSC026NE2LS5 能够在低至 4.5V 的门极电压下正常工作,使其成为现代电力电子应用的理想选择。

    技术参数


    | 参数符号 | 参数名称 | 最小值 | 标称值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VDS | 漏-源击穿电压 | 30 V |
    | VGS | 门-源电压 | ±20 V |
    | ID@TC=25℃ | 漏电流(VGS@10V) 150 A |
    | ID@TC=100℃ | 漏电流(VGS@10V) 80 A |
    | RDS(ON) | 导通电阻(VGS@10V, ID@30A) 2.4 | mΩ |
    | Qg | 门极总电荷(VDS=15V, VGS=10V, ID=15A) nC |

    产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(ON)): 在 10V 门极电压下,导通电阻低至 2.4mΩ,使器件具有高效率的特点。
    - 低门极电荷(Qg): 门极电荷仅为 4345nC,保证了较低的开关损耗。
    - 宽工作范围: 工作温度范围为 -55°C 到 150°C,确保了器件在各种环境下的稳定运行。
    - 强大的瞬态热阻: 瞬态热阻低,能够快速散热,提高可靠性和使用寿命。

    应用案例和使用建议


    - 电池保护: 在电池管理系统中,BSC026NE2LS5 可用于实现过流保护和过温保护,防止电池因过载而损坏。
    - 负载开关: 在需要频繁开关的应用中,该器件可以作为高效可靠的负载开关。
    - 不间断电源 (UPS): 在 UPS 系统中,BSC026NE2LS5 可以用于切换电源,确保电源供应的连续性和可靠性。
    使用建议:
    - 在设计电路时,要充分考虑热管理措施,确保器件工作在安全的温度范围内。
    - 使用过程中,应避免长时间超过最大额定值的工作条件,以延长器件寿命。

    兼容性和支持


    BSC026NE2LS5 具有广泛的兼容性,可以与其他标准组件一起使用,无需额外适配。制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,确保客户在使用过程中获得及时的帮助和技术指导。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 加装散热片,改进散热设计 |
    | 开关频率过高 | 减少开关频率,增加冷却时间 |
    | 寿命不足 | 确保工作在额定范围内,避免过载 |

    总结和推荐


    BSC026NE2LS5 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具备低导通电阻、低门极电荷和宽工作温度范围等优点,适用于多种电子应用。其出色的性能和稳定性使得它在工业、汽车和消费电子等领域中表现出色。因此,我们强烈推荐在相关的应用设计中使用此款产品。

BSC026NE2LS5参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -

BSC026NE2LS5厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

BSC026NE2LS5数据手册

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BSC026NE2LS5封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 2.25
15000+ ¥ 2.2125
25000+ ¥ 2.1563
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