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HC3M0015065D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为处理高电压、大电流应用设计。额定电压650V,可承载120A连续电流,广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具备出色的导通性能和散热效率,是现代高效能电力控制的理想半导体元件。
供应商型号: HC3M0015065D TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HC3M0015065D

HC3M0015065D参数

参数
栅极电荷 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
通用封装 TO-247-3L

HC3M0015065D厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HC3M0015065D数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HC3M0015065D HC3M0015065D数据手册

HC3M0015065D封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ ¥ 58.5
90+ ¥ 57.525
150+ ¥ 56.0625
库存: 300000
起订量: 60 增量: 30
交货地:
最小起订量为:30
合计: ¥ 1755
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