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HC3M0015065D

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款工业级N沟道MOSFET采用TO-247封装,专为处理高电压、大电流应用设计。额定电压650V,可承载120A连续电流,广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具备出色的导通性能和散热效率,是现代高效能电力控制的理想半导体元件。
供应商型号: HC3M0015065D TO-247
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HC3M0015065D

HC3M0015065D概述


    产品简介


    HC3M0015065D 是由深圳华煊阳电子有限公司生产的SiC(碳化硅)功率MOSFET,属于N沟道增强型器件。该产品采用了第三代SiC MOSFET技术,广泛应用于太阳能逆变器、电动汽车电机驱动、高压直流转换器以及开关电源等领域。其独特的技术和设计使其在高效率和可靠性方面具有明显优势。

    技术参数


    主要技术规格:
    - 最大漏源电压 (VDSmax):650V
    - 最大栅源电压 (VGSmax):-8/+19V
    - 连续漏电流 (ID):120A (TC = 25°C)
    - 脉冲漏电流 (ID(pulse)):418A
    - 功耗 (PD):416W (TC=25°C, TJ = 175°C)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-40°C 到 +175°C
    - 焊接温度 (TL):260°C (1.6mm, 0.063” 从外壳边缘 10秒)
    - 安装扭矩 (Md):1 Nm
    电气特性:
    - 栅阈值电压 (VGS(th)):1.8V 到 3.6V
    - 零栅源电压漏极电流 (IDSS):100μA
    - 栅源漏电流 (IGSS):10nA 到 250nA
    - 导通电阻 (RDS(on)):10.5mΩ 至 21mΩ
    - 栅电荷 (Qg):188nC
    - 输入电容 (Ciss):5011 pF
    - 输出电容 (Coss):289 pF
    - 反向传输电容 (Crss):31 pF
    - 有效输出电容 (Co(er)):357
    - 有效时间相关电容 (Co(tr)):516
    开关特性:
    - 导通延迟时间 (td(on)):22 ns
    - 上升时间 (tr):125 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):58 ns
    - 下降时间 (tf):25 ns
    反向恢复特性:
    - 二极管正向电压 (VSD):4.2V
    - 连续二极管正向电流 (IS):79A
    - 峰值反向恢复电流 (Irrm):14A 到 17A
    - 反向恢复电荷 (Qrr):562 nC 到 667 nC

    产品特点和优势


    1. 第三代SiC MOSFET技术:提供了更稳定的性能和更高的效率。
    2. 高阻断电压:高达650V,适用于高压应用。
    3. 低导通电阻:RDS(on) 在10.5mΩ至21mΩ之间,有助于降低功率损耗。
    4. 高速开关能力:拥有较低的栅电荷和电容,降低了开关损耗。
    5. 无卤素、RoHS合规:符合环保标准,适合绿色应用。
    6. 减少冷却需求:高效的热管理设计减少了散热要求。
    7. 增加功率密度:紧凑的设计使得设备体积更小,重量更轻。
    8. 提高系统频率:适用于高频率应用,提高了系统的灵活性和性能。

    应用案例和使用建议


    HC3M0015065D 适用于多种高功率应用,例如:
    - 太阳能逆变器:利用其高效能和高可靠性,保证逆变器稳定运行。
    - 电动汽车电机驱动:通过快速响应和低损耗,提升电机驱动系统的整体效率。
    - 高压直流转换器:适配高电压和高电流的场合,确保可靠运行。
    - 开关电源:能够应对复杂的电力变换要求,提供稳定的电力供应。
    使用建议:
    - 确保电路设计时考虑散热措施,以维持其长期稳定的性能。
    - 在设计时考虑到高电压和大电流条件下的负载,合理规划系统布局。
    - 为了进一步优化性能,可以考虑增加保护电路以防止过压和过流现象的发生。

    兼容性和支持


    该产品采用TO-247封装,与大多数现有的设备和系统兼容。华煊阳电子公司提供全面的技术支持和服务,包括详细的文档、参考设计以及现场技术支持,帮助客户更好地理解和应用此产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:系统无法正常启动。
    解决方案:检查系统接线是否正确,确认电源供应是否稳定。重新测试并确保所有的连接都是牢固的。

    2. 问题:设备在高温环境下工作不稳定。
    解决方案:加强散热措施,选择合适的散热片或冷却系统,确保器件工作在安全温度范围内。

    3. 问题:系统出现异常噪声。
    解决方案:检查是否有电磁干扰源,安装适当的屏蔽材料,并调整布线路径以减少干扰。

    总结和推荐


    总体而言,HC3M0015065D是一款高性能、高可靠性的SiC MOSFET产品,非常适合于需要高效率和高可靠性的工业应用。其卓越的电气特性和广泛的适用性使其在市场上具备强大的竞争力。我们强烈推荐此产品用于各类高压、大电流的应用场合。如果你正在寻找一个高效可靠的解决方案,HC3M0015065D无疑是一个理想的选择。

HC3M0015065D参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-247-3L

HC3M0015065D厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HC3M0015065D数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HC3M0015065D HC3M0015065D数据手册

HC3M0015065D封装设计

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