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60N06

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用经典TO-220封装,专为60V电压下的大电流应用设计。具备高达60A连续电流处理能力,广泛应用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具有低导通电阻和优良散热性能,是现代电子设备高效功率控制的理想之选。
供应商型号: 60N06 TO-220H
供应商: 国内现货
标准整包数: 50
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) 60N06

60N06概述

    60N06 N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    60N06 是由 HUAXUANYANG HXY 生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。它具有低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷的特点,适用于多种高效率开关模式电源及功率因数校正的应用。该产品广泛应用于电子镇流器、直流转换器、电机驱动等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDS | - | 60 | - | - | V |
    | 栅源电压 | VGS | - | -20 | - | +20 | V |
    | 漏电流 | ID | TC=25℃ | - | 60 | - | A |
    | 脉冲漏电流 | IDM | - | - | - | 240 | A |
    | 功耗 | PD | TC=25℃ | - | - | 120 | W |
    | 存储温度范围 | TSTG | - | -55 | - | 150 | ℃ |
    | 工作结温范围 | TJ | - | -55 | - | 150 | ℃ |
    | 开启延迟时间 | td(on) | - | 60 | - | - | nS |
    | 关断延迟时间 | td(off) | RG=50Ω, VDD=30V, ID=40A | 75 | - | - | nS |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(ON) < 20mΩ@ VGS=10V,确保低功耗运行。
    - 低栅极电荷:Qg = 39nC,有助于提高开关速度,减少损耗。
    - 宽工作电压范围:VDS=60V,适用于多种高压应用场合。
    - 高可靠性:采用先进的沟槽工艺制造,保证长期稳定运行。
    - 兼容性强:标准的 TO-220H 封装,易于安装和替换。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于电子镇流器、直流转换器、电机驱动等系统中。例如,在直流转换器中,它可以作为开关管,有效提高系统效率。
    - 使用建议:
    - 确保工作温度不超过最大值 150℃。
    - 使用合适的散热措施以降低结温。
    - 在选择栅极驱动电路时,考虑栅极电荷对开关速度的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:60N06 支持与多种高压和高速应用电路兼容。
    - 技术支持:制造商提供详细的技术文档、应用指南和客户支持服务,确保用户能够顺利集成和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题 1:过高的工作温度导致产品损坏。
    - 解决方案:使用散热片或散热风扇,确保良好的热管理。
    - 问题 2:栅极驱动电路设计不当导致栅极振荡。
    - 解决方案:增加栅极电阻以减缓开关速度,或使用缓冲电路。

    7. 总结和推荐


    60N06 N 沟道 MOSFET 是一款高性能的开关器件,特别适合于高效率电源转换和功率因数校正应用。其出色的导通电阻和低栅极电荷特性使其在众多应用中表现出色。然而,使用时需注意保持适当的散热措施,并遵循制造商的指导方针以确保安全和高效的工作状态。总体而言,60N06 是一款值得推荐的产品,尤其对于需要高效率和可靠性电力控制的应用。

60N06参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
配置 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
通用封装 TO-220

60N06厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

60N06数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 60N06 60N06数据手册

60N06封装设计

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