处理中...

首页  >  产品百科  >  NTD6416ANT4G

NTD6416ANT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 此款消费级N沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具有100V耐压及高达20A的连续电流承载能力,专为高性能电子设备设计,应用于电源转换、电机控制等领域,提供卓越的功率开关效能与稳定性。
供应商型号: NTD6416ANT4G DPAK
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NTD6416ANT4G

NTD6416ANT4G概述

    NTD6416ANT4G N-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    NTD6416ANT4G是一款采用先进的沟槽工艺制造的N沟道增强型MOSFET。该产品由深圳华宣阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产,适用于电池保护、开关应用等领域。其主要特点是具有低导通电阻(RDS(ON)),适合在低至4.5V的门极电压下工作。

    技术参数


    - 主要参数:
    - VDS(漏源电压): 100V
    - ID(连续漏电流): 20A (在VGS=10V时)
    - RDS(ON)(导通电阻): 87mΩ (在VGS=10V时)
    - 极限参数:
    - VGS(栅源电压): ±20V
    - IDM(脉冲漏电流): 30A
    - EAS(单脉冲雪崩能量): 6.1mJ
    - TSTG(存储温度范围): -55°C 至 150°C
    - TJ(工作结温范围): -55°C 至 150°C
    - RθJA(热阻): 62°C/W
    - RθJC(结-壳热阻): 3.6°C/W

    产品特点和优势


    - 高可靠性: 具有高耐压和大电流能力,能够承受高电压和大电流冲击。
    - 低导通电阻: 在VGS=10V时,RDS(ON)<87mΩ,适合高效能应用。
    - 低栅极电荷: 门极电荷低,有助于降低开关损耗。
    - 宽工作电压范围: 可以在低至4.5V的电压下工作,适用性强。
    - 优异的温度特性: 良好的温度稳定性,适应广泛的温度环境。

    应用案例和使用建议


    - 电池保护: NTD6416ANT4G常用于锂离子电池组的过流保护电路中,有效防止过载和短路情况。
    - 负载开关: 该器件也可以用作负载开关,在电源管理应用中实现精准控制。
    - 不间断电源: 在不间断电源系统中,可以作为关键组件提供稳定可靠的电力供应。
    使用建议:
    - 在设计电池保护电路时,要确保器件的电压和电流限制符合应用需求。
    - 需要注意散热管理,尤其是在高功率应用中,确保良好的热流通。

    兼容性和支持


    - 封装: TO-252-2L(DPAK)
    - 厂商支持: 提供详细的电气特性和热特性数据,方便客户进行设计选型。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:工作温度范围有限制吗?
    - 解决办法: NTD6416ANT4G的工作温度范围为-55°C至150°C,确保在设计时考虑到这一点。

    2. 问题:如何处理过载电流?
    - 解决办法: 可以通过添加外部保护电路(如保险丝)来处理过载电流。
    3. 问题:如何优化散热效果?
    - 解决办法: 使用散热片或散热膏,增加散热路径,降低器件工作温度。

    总结和推荐


    NTD6416ANT4G是一款高性能的N沟道增强型MOSFET,具备优秀的电气特性和可靠的工作性能。它在电池保护、负载开关、不间断电源等应用中表现出色。其宽泛的工作电压范围和低导通电阻使其成为许多应用场景的理想选择。推荐在需要高效率和可靠性的设计中选用此器件。

NTD6416ANT4G参数

参数
FET类型 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-252

NTD6416ANT4G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTD6416ANT4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NTD6416ANT4G NTD6416ANT4G数据手册

NTD6416ANT4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.6138
7500+ ¥ 0.6036
12500+ ¥ 0.5882
库存: 300000
起订量: 2500 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:2500
合计: ¥ 1534.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504