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IRFR5305TRPBF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,额定电压60V,提供高效稳定的20A电流处理能力。专为中高压开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品,实现卓越的电源转换效率与系统稳定性表现。
供应商型号: IRFR5305TRPBF DPAK
供应商: 云汉优选
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFR5305TRPBF

IRFR5305TRPBF概述

    电子元器件产品技术手册:IRFR5305TRPBF P-Channel Enhancement Mode MOSFET

    产品简介


    IRFR5305TRPBF是一款由深圳华轩阳电子有限公司生产的P沟道增强型MOSFET,适用于电池保护及开关应用。这款MOSFET采用先进的沟槽技术,提供了卓越的导通电阻(RDS(ON)),低栅极电荷,并且能够在低至4.5V的栅源电压下运行。主要功能包括出色的耐压能力和电流承载能力,使其广泛应用于PWM(脉冲宽度调制)、负载开关和电源管理等领域。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏-源电压:-60V
    - 栅-源电压:±20V
    - 连续漏极电流:-20A
    - 脉冲漏极电流:-48A
    - 最大功耗:40W
    - 工作结温及存储温度范围:-55°C 至 175°C
    - 热阻,结到环境:20°C/W
    - 电气特性
    - 漏-源击穿电压:-60V
    - 零栅源电压漏极电流:-1μA
    - 栅-体泄漏电流:±100nA
    - 栅阈值电压:-1.8V至-2.5V
    - 导通状态电阻(VGS=-10V时):<72mΩ
    - 导通状态电阻(VGS=-4.5V时):<100mΩ
    - 前向跨导:5S
    - 输入电容:2460pF
    - 输出电容:220pF
    - 反向转移电容:155pF
    - 开启延迟时间:14ns
    - 开启上升时间:20ns
    - 关断延迟时间:40ns
    - 关断下降时间:19ns
    - 总栅电荷:48nC
    - 栅-源电荷:11nC
    - 栅-漏电荷:10nC
    - 二极管反向恢复时间:40ns
    - 二极管反向恢复电荷:56nC
    - 二极管正向电压:-0.72V至-1V

    产品特点和优势


    - 高性能导通电阻:RDS(ON)在VGS=-10V时小于72mΩ,在VGS=-4.5V时小于100mΩ,能够显著降低功耗。
    - 低栅极电荷:具有较低的栅极电荷,有助于提高开关速度并降低驱动功耗。
    - 高可靠性:在广泛的温度范围内提供稳定的性能,适用范围为-55°C至175°C。
    - 先进的沟槽技术:采用先进的沟槽技术,提升整体电气性能。

    应用案例和使用建议


    IRFR5305TRPBF广泛应用于PWM、负载开关和电源管理等领域。例如,在电池保护电路中,可以通过控制MOSFET的导通状态来实现电池过充或过放保护。此外,该MOSFET也可用于高频开关应用,如DC-DC转换器,以提高效率和稳定性。
    使用建议:
    - 在选择外部栅极电阻时,应考虑MOSFET的总栅电荷和驱动条件,确保系统在快速开关过程中不会超过MOSFET的最大栅极驱动电压。
    - 在高温环境下使用时,应注意散热设计,以避免热失控现象。

    兼容性和支持


    IRFR5305TRPBF采用TO-252-2L封装,与标准DPAK封装兼容。厂商提供详细的技术支持和售后维护服务,以帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:栅极电压过高导致MOSFET损坏。
    - 解决方案:检查电路设计,确保栅极驱动电压不超过MOSFET的额定值。

    - 问题2:MOSFET发热严重,无法正常工作。
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或风扇等散热措施,以保证良好的热环境。

    总结和推荐


    综上所述,IRFR5305TRPBF是一款高性能、高可靠性的P沟道增强型MOSFET。其优秀的导通电阻、低栅极电荷和宽工作温度范围使其成为多种应用的理想选择。我们强烈推荐这款产品用于需要高效率和高稳定性的电子系统中。对于任何潜在的应用需求,用户应当参考厂商提供的技术文档和使用指南,以确保最佳的性能表现和长期的可靠性。

IRFR5305TRPBF参数

参数
Id-连续漏极电流 20A
通道数量 -
配置 -
栅极电荷 63nC
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 40W
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 2个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.46nF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通用封装 TO-252-2L
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFR5305TRPBF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFR5305TRPBF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF数据手册

IRFR5305TRPBF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2500+ ¥ 0.8342
7500+ ¥ 0.8203
12500+ ¥ 0.7995
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