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NX7002AK

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装,专为60V电压环境设计,额定电流0.3A。具备低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电池保护、信号切换以及各类低至中等电流的电子设备,实现精准高效的功率控制。
供应商型号: 14M-NX7002AK SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NX7002AK

NX7002AK概述

    NX7002AK N-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NX7002AK 是一款高性能的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用先进的沟槽工艺制造。该器件凭借出色的 RDS(ON) 特性、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压操作能力,在电池保护及开关应用中表现出色。NX7002AK 可应用于电池保护、负载开关、不间断电源等领域。

    技术参数


    以下是NX7002AK的技术规格及其主要性能参数:
    - 基本规格
    - VDS(漏源电压):60V
    - ID(连续漏电流):0.3A
    - RDS(ON)(导通电阻):<2Ω @ VGS=10V
    - ESD等级:HBM ≥ 2000V
    - 绝对最大额定值
    - VDS:60V
    - VGS:±20V
    - 连续漏电流(TJ=150℃)
    - TA=25℃:0.3A
    - TA=100℃:0.19A
    - 最大脉冲漏电流:0.8A
    - 最大功率耗散:0.35W
    - 工作结温和存储温度范围:-55℃ 至 150℃
    - 热阻(结到环境):350℃/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):60V(典型值为68V)
    - 零栅电压漏电流(IDSS):1μA(最大值)
    - 栅体泄漏电流(IGSS):±100nA(最大值)
    - 栅阈电压(VGS(th)):0.7V 至 1.9V
    - 导通电阻(RDS(ON)):1Ω(典型值)
    - 转导电导率(gFS):0.1S
    - 输入电容(Ciss):21pF 至 50pF
    - 输出电容(Coss):11pF 至 25pF
    - 反向传输电容(Crss):4.2pF 至 5pF
    - 开启延迟时间(td(on)):10ns(典型值)
    - 关闭延迟时间(td(off)):17ns(典型值)

    产品特点和优势


    - 高效能:出色的RDS(ON),低栅极电荷,使得在电池保护和其他开关应用中具有卓越的性能。
    - 低栅极电压操作:可在低至4.5V的栅极电压下正常工作,适用于各种低压电路。
    - 高可靠性:HBM(人体模型)ESD等级大于2000V,确保了高可靠性的电气特性。
    - 紧凑封装:SOT-23 封装设计,方便集成于紧凑型电路板。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电池保护电路:NX7002AK 可用于防止电池过充和过放,延长电池寿命。
    - 负载开关:在负载切换过程中,提供稳定的开关性能。
    - 不间断电源(UPS):在电力中断时,确保系统持续供电。

    - 使用建议:
    - 确保电路工作在规定的电气参数范围内,以避免过压或过流引起的损坏。
    - 在设计电池保护电路时,应考虑适当的过流保护机制。
    - 为了提高系统的可靠性,建议在负载开关和不间断电源设计中添加额外的保护电路。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NX7002AK 与市面上主流的电路板和连接器兼容,方便集成到现有的电子系统中。
    - 支持:由深圳华轩阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics)提供全面的技术支持,包括设计指导、样品测试和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何正确选择工作电压?
    - A:根据具体应用场景,确保工作电压不超过器件的最大额定值60V。
    - Q:如何防止过热?
    - A:使用散热片或加装风扇进行散热,确保器件的工作温度不超出规定的范围。
    - Q:如何保证ESD防护?
    - A:在电路设计中增加ESD保护元件,如瞬态抑制二极管(TVS),以提高系统的整体抗干扰能力。

    总结和推荐


    NX7002AK N-Channel MOSFET 以其出色的性能、高效的电气特性和广泛的应用场景,在现代电子设备中表现卓越。其具备低栅极电压操作、出色的ESD防护能力和可靠的电气特性,使其成为电池保护、负载开关和不间断电源等应用的理想选择。强烈推荐在需要高性能和高可靠性的电子系统中使用这款器件。
    以上是对NX7002AK N-Channel MOSFET 的详细解析,希望能为您的项目选择合适的电子元器件提供有价值的参考。

NX7002AK参数

参数
FET类型 2个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 170mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 28pF
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9.7mΩ@ 10V,81A
栅极电荷 0.43nC@ 4.5V
最大功率耗散 350mW
通用封装 SOT-23
应用等级 工业级
零件状态 在售

NX7002AK厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NX7002AK数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 NX7002AK NX7002AK数据手册

NX7002AK封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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1000+ ¥ 0.0774
3000+ ¥ 0.0691
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30000+ ¥ 0.0498
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