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NTR4101PT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 该款消费级P沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,适用于20V电压系统,额定电流高达3A。具备优越的低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中,实现高效、稳定的功率控制功能。
供应商型号: NTR4101PT1G SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) NTR4101PT1G

NTR4101PT1G概述

    # NTR4101PT1G P-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTR4101PT1G 是一款采用先进沟槽工艺制造的 P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。该器件特别适用于负载开关和脉冲宽度调制(PWM)应用,广泛应用于电池保护、不间断电源(UPS)等领域。

    技术参数


    绝对最大额定值
    | 参数 | 极限 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | ±12 | V |
    | 漏极-源极电压 | -20 | V |
    | 漏极连续电流 | -3 | A |
    | 漏极脉冲电流(注1) | -10 | A |
    | 最大耗散功率 | 1 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | -55 至 150 | ℃ |
    | 结点到环境热阻(注2) | 125 | ℃/W |
    电气特性
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-4.5V, ID=-3A | - | 60 | 80 | mΩ |
    VGS=-2.5V, ID=-2A | - | - | 85 | 103 | Ω |
    | 输入电容 | CISS | VDS=-10V,VGS=0V,F=1.0MHz | - | 405 | - | PF |
    | 输出电容 | COSS | - | - | 75 | - | PF |
    | 反向传输电容 | CRSS | - | - | 55 | - | PF |
    开关特性(注4)
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 导通延迟时间 | td(on) | VDD=-10V,ID=-1A,VGS=-4.5V,RGEN=10Ω | - | 11 | - | ns |
    | 导通上升时间 | tr | - | - | 35 | - | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | - | - | 30 | - | ns |
    | 关断下降时间 | tf | - | - | 10 | - | ns |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(ON) < 80mΩ):在栅极电压为-4.5V时,具有非常低的导通电阻,有助于提高系统的效率。
    2. 高可靠性:使用先进的沟槽技术,确保器件在极端工作条件下的稳定性和耐用性。
    3. 广泛应用:适合用于电池保护、负载开关和不间断电源等多种应用场合。
    4. 高热稳定性:工作结温和存储温度范围宽广,适用于多种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 电池保护:NTR4101PT1G 可用于锂电池保护电路中,防止过充和过放现象。
    - 负载开关:作为负载开关使用,提供可靠的电路控制。
    - 不间断电源:用于 UPS 系统中,确保供电连续稳定。
    使用建议
    - 在设计负载开关时,建议根据具体应用场景选择合适的栅极驱动电压。
    - 高频应用时,需要考虑输出电容和反向传输电容的影响。
    - 在高功率应用中,需要注意散热设计,避免器件过热。

    兼容性和支持


    - 封装:采用 SOT-23 封装,便于焊接和安装。
    - 厂商支持:提供详细的电气特性和热特性图表,便于工程师进行设计和选型。
    - 客户支持:深圳华宣阳电子有限公司提供全面的技术支持和服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:过高的漏极电流导致器件过热。
    解决办法:检查系统负载电流,合理设计散热措施。
    2. 问题:栅极-源极电压波动影响器件稳定性。
    解决办法:使用稳定的电源供应,降低噪声干扰。
    3. 问题:应用中的导通电阻变化过大。
    解决办法:选用合适的工作电压范围,以保持稳定的导通电阻。

    总结和推荐


    综上所述,NTR4101PT1G P-Channel Enhancement Mode MOSFET 是一款高性能的电子元器件,适用于多种复杂的应用场景。其低导通电阻、高可靠性、广泛的适用性使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高效、可靠、且能在宽温范围内工作的应用场景,强烈推荐使用 NTR4101PT1G。建议在设计和使用过程中注意合理的散热设计和稳定电源的供应,以充分发挥其优异性能。

NTR4101PT1G参数

参数
栅极电荷 7.5nC@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
FET类型 2个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 405pF
Rds(On)-漏源导通电阻 17mΩ@ 10V,8.2A
Id-连续漏极电流 3.2A
Vgs-栅源极电压 12V
通道数量 -
最大功率耗散 1W
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
通用封装 SOT-23

NTR4101PT1G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

NTR4101PT1G数据手册

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NTR4101PT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.0893
15000+ ¥ 0.0871
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