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BSS84AK

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,专为50V电压应用设计,额定电流0.1A。具有低导通电阻和快速开关性能,尤其适用于需要精细功率控制的场合,如电池保护、信号切换等,提供高效稳定的半导体解决方案。
供应商型号: BSS84AK SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) BSS84AK

BSS84AK概述


    产品简介


    BSS84AK P-Channel Enhancement Mode MOSFET
    BSS84AK 是一款由深圳华轩阳电子有限公司生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的沟槽技术设计。这种MOSFET主要用于电源开关应用和高频硬切换电路,如DC-DC转换器。BSS84AK具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,适用于多种电子应用。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 \( V{DS} \): -50 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 持续漏极电流 \( ID \): -0.13 A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): -0.5 A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 0.35 W
    - 工作结温和存储温度范围 \( TJ, T{STG} \): -55°C 至 150°C
    - 热阻,结到环境 \( R{\theta JA} \): 62.5 °C/W
    - 静态电气特性:
    - 击穿电压 \( V{(BR)DSS} \): -50 V (当 \( V{GS} = 0 \), \( ID = 250 \mu A \))
    - 栅极阈值电压 \( V{GS(th)} \): -0.8 V 至 -2.0 V (当 \( V{DS} = V{GS} \), \( ID = -250 \mu A \))
    - 栅体漏电流 \( I{GSS} \): ±10 μA (当 \( V{DS} = 0 \), \( V{GS} = ±10 V \))
    - 零栅极电压漏极电流 \( I{DSS} \): -10 μA (当 \( V{DS} = -50 V \), \( V{GS} = 0 V \))
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = -10 V \), \( ID = -0.13 A \): 2 Ω 至 5 Ω
    - \( V{GS} = -4.5 V \), \( ID = -0.13 A \): 2.5 Ω 至 6 Ω
    - 前向跨导 \( g{FS} \): 50 mS (当 \( V{DS} = -25 V \), \( ID = -0.13 A \))
    - 动态电气特性:
    - 输入电容 \( C{iss} \): 25 pF (当 \( V{DS} = -25 V \), \( V{GS} = 0 V \), \( f = 1 MHz \))
    - 输出电容 \( C{oss} \): 15 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \): 3.5 pF
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 16.7 ns (当 \( V{GS} = -10 V \), \( V{DS} = -15 V \), \( ID = -200 mA \), \( R{GEN} = 25 \Omega \))
    - 上升时间 \( tr \): 8.6 ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \): 17.9 ns
    - 下降时间 \( tf \): 5.3 ns

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻(RDS(on)): 在不同电压下提供较低的导通电阻,从而减少功耗和发热。
    2. 先进沟槽技术: 采用先进的沟槽技术设计,提高了整体性能。
    3. 低栅极电荷: 有助于降低驱动损耗,提高效率。
    4. 宽工作温度范围: -55°C 至 150°C 的宽工作温度范围,使其适用于极端环境条件。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源开关应用: 如DC-DC转换器。
    - 高频硬切换电路: 如逆变器和电机驱动器。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于最高功率耗散为0.35W,需要适当的散热措施以防止过热。
    - 驱动电路设计: 使用合适的驱动电路,避免瞬态电压过高导致器件损坏。
    - 选择合适的外围元件: 在高频应用中,要选择低寄生电感和电容的外围元件以优化性能。

    兼容性和支持


    BSS84AK 具有良好的兼容性,可以与各种标准的PCB布局兼容。制造商提供了详细的技术支持,包括产品文档、设计指南和技术咨询服务。如果需要进一步的技术支持或定制解决方案,可以直接联系制造商的客户服务部门。

    常见问题与解决方案


    - Q: BSS84AK的最大漏源电压是多少?
    - A: BSS84AK的最大漏源电压为-50V。确保实际应用中的电压不超过此限制,以避免击穿损坏。

    - Q: 如何处理在高电流应用中出现的过热问题?
    - A: 通过增加散热片或采用主动冷却方式来提高散热效率。同时,也可以选择更合适的外围电路设计来减少功耗。

    总结和推荐


    综合评估:
    BSS84AK是一款高性能的P沟道增强型MOSFET,具有优秀的低导通电阻和低栅极电荷特点,非常适合用于电源管理和高频开关应用。它具备良好的散热特性和广泛的工作温度范围,适用于各种工业和消费电子产品。
    推荐:
    强烈推荐使用BSS84AK。其出色的性能和可靠性使它成为许多应用场景的理想选择。然而,在设计应用时需要注意合理的散热设计和合适的驱动电路,以充分发挥其性能并避免潜在的问题。

BSS84AK参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@ 22.5A,10V
配置 -
最大功率耗散 350mW
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 25pF
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
栅极电荷 0.35nC@ 5V
FET类型 2个P沟道
Id-连续漏极电流 180mA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 50V
通用封装 SOT-23

BSS84AK厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

BSS84AK数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 BSS84AK BSS84AK数据手册

BSS84AK封装设计

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