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WPM2015

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,提供5A大电流处理能力。具备卓越的低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源转换等应用场合,实现高效能、稳定的功率控制功能。
供应商型号: WPM2015 SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) WPM2015

WPM2015概述

    WPM2015-HXY P-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    WPM2015-HXY 是一款由深圳华宣阳电子有限公司生产的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。该器件以其低导通电阻(RDS(ON))、低门极电荷和宽泛的工作电压范围而著称,适用于电池保护和开关电源应用。

    2. 技术参数


    以下是WPM2015-HXY的关键技术参数:
    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):-20V
    - 门源电压(VGS):±12V
    - 连续漏电流(ID):-5A
    - 脉冲漏电流(IDM):-14A
    - 最大功耗(PD):1.31W
    - 热阻(Junction-to-Ambient, RθJA):120°C/W
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 静态特性
    - 导通电阻(RDS(ON)):典型值为35mΩ@VGS=-4.5V,最大值为45mΩ@VGS=-4.5V
    - 门阈电压(VGS(th)):-0.4V 至 -1.0V
    - 门极泄漏电流(IGSS):±100nA@VGS=±12V
    - 驱动增益(gfs):12.8S@VDS=-5V
    - 动态特性
    - 开启延迟时间(Td(on)):5.6ns 至 11.2ns
    - 上升时间(Tr):40.8ns 至 73ns
    - 关闭延迟时间(Td(off)):33.6ns 至 67ns
    - 下降时间(Tf):18ns 至 36ns

    3. 产品特点和优势


    WPM2015-HXY 的主要特点如下:
    - 高功率和电流处理能力:其高电流和功率处理能力使其成为电池保护和开关电源的理想选择。
    - 先进的工艺技术:采用先进的沟槽技术,提高了可靠性。
    - 低导通电阻:低至35mΩ的导通电阻,有效降低了功率损耗。
    - 宽泛的工作电压范围:适用于多种电路设计。
    - 环保无铅设计:符合现代环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    WPM2015-HXY 在许多应用中都有广泛的应用,包括但不限于:
    - 电池保护:适用于各种便携式设备和汽车电子系统。
    - 负载开关:用于控制电源管理系统的负载。
    - PWM应用:适用于各种PWM控制系统。
    使用建议:
    - 设计时需考虑散热:由于最大功耗为1.31W,合理布局并提供良好的散热措施是必要的。
    - 确保驱动电压稳定:在应用中应确保门极驱动电压的稳定,避免因电压波动导致的性能不稳定。

    5. 兼容性和支持


    - 封装形式:SOT-23封装,适合表面贴装。
    - 兼容性:与现有的大多数PCB设计兼容,便于集成。
    - 技术支持:深圳华宣阳电子有限公司提供详尽的技术文档和支持,帮助客户解决问题。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何避免过热?
    - A: 使用适当的散热器,并确保良好的热流路径。参考技术手册中的热阻参数来计算所需的散热器面积。

    - Q: 门极驱动电压如何设置?
    - A: 根据手册推荐的门极电压范围(-2.5V至-4.5V),使用合适的驱动器或电路确保门极电压的稳定性。

    7. 总结和推荐


    WPM2015-HXY是一款性能优异的P沟道增强型MOSFET,其低导通电阻和宽泛的工作电压范围使其在多种应用场景中表现出色。建议在需要高性能电池保护和开关电源的设计中优先考虑使用此器件。此外,制造商提供的详细文档和支持也使得产品易于集成和调试。

WPM2015参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
栅极电荷 -
FET类型 -
配置 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-23

WPM2015厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

WPM2015数据手册

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WPM2015封装设计

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