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FDS4435A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 此款消费级P沟道MOSFET采用SOP-8封装,专为30V电压系统设计,具备9A大电流处理能力。具有低导通电阻和优良的开关性能,适用于电池保护、电源控制及各类中高功率应用场合,是提升消费电子设备能效的理想之选。
供应商型号: FDS4435A SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) FDS4435A

FDS4435A概述

    FDS4435A P-Channel Enhancement Mode MOSFET

    1. 产品简介


    FDS4435A 是一款采用先进的沟槽技术制造的P沟道增强型MOSFET,封装形式为SOP-8。该产品主要用于电池保护、负载开关和不间断电源系统中。凭借出色的RDS(ON)、低栅极电荷和最低2.5V的门限电压,FDS4435A 在各种开关应用中表现出色。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS):-30V
    - 最大漏源电流 (IDM):-40A
    - 漏源导通电阻 (RDS(ON)):16mΩ(VGS=10V时)
    - 门限电压范围 (VGS(th)):-1.0至-2.5V
    - 总栅极电荷 (Qg):22nC
    - 最大连续漏源二极管正向电流 (IS):-11A
    - 存储温度范围 (TSTG):-55°C至150°C
    - 最大热阻 (Rthj-a):33.8°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 先进的沟槽技术:提供了更低的RDS(ON),从而降低了功耗。
    - 低栅极电荷:有助于提高开关速度并降低驱动损耗。
    - 宽工作温度范围:适用于极端环境下的应用。
    - 兼容低门限电压:最低工作电压可达到2.5V,提升了应用的灵活性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电池保护:利用其高耐压和大电流处理能力,可以有效保护电池免受过流和短路的影响。
    - 负载开关:可以实现快速可靠的负载切换,确保系统的稳定运行。
    - 不间断电源系统:其高可靠性和宽温范围使其非常适合用于UPS系统中。
    使用建议:
    - 确保驱动电路能够提供足够的栅极电压,避免因驱动不足导致的发热问题。
    - 注意散热设计,特别是在高电流工作条件下,合理选用散热器以避免热失控。

    5. 兼容性和支持


    FDS4435A 可与多种其他电子元件兼容,包括常见的SOP-8封装的集成电路。厂商提供了详细的文档和技术支持,包括故障排查和应用指南。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的温度可能导致产品失效。
    - 解决方法:增加散热措施,如使用散热片或风扇。
    - 问题2:在高频应用中,栅极电容可能导致振铃现象。
    - 解决方法:适当添加栅极电阻来减缓开关速度,减少振铃效应。
    - 问题3:出现击穿现象。
    - 解决方法:检查输入电压是否超过最大额定值,避免过高电压导致损坏。

    7. 总结和推荐


    综上所述,FDS4435A 是一款高性能的P沟道MOSFET,具有优秀的RDS(ON)、低栅极电荷和广泛的温度适应性。适合于多种高可靠性要求的应用场景。鉴于其优异的性能和广泛的应用范围,强烈推荐在需要高效率、高可靠性的电路中使用该产品。

FDS4435A参数

参数
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 11A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ
最大功率耗散 3.7W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
FET类型 2个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.33nF@ 15V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

FDS4435A厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

FDS4435A数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 FDS4435A FDS4435A数据手册

FDS4435A封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.5853
15000+ ¥ 0.5704
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