处理中...

首页  >  产品百科  >  3439KDW

3439KDW

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 该消费级MOSFET采用紧凑型SOT-363封装,集成N+P沟道设计,额定电压20V,最大连续电流0.8A,适用于低功耗电子设备的电源转换和智能开关控制。其小巧体积与高效能特性为电路设计带来灵活可靠的解决方案。
供应商型号: 3439KDW SOT-363
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) 3439KDW

3439KDW概述


    产品简介


    3439KDW 双N+P-通道增强模式MOSFET 是一款高性能电子元器件,主要用于开关电源管理、电池保护等领域。该器件采用先进的沟槽技术,提供低导通电阻(RDS(ON))和低门极电荷,适用于多种电路设计需求。3439KDW采用SOT-363封装形式,便于表面贴装,广泛应用于无线充电、升压驱动器、无刷电机等场合。

    技术参数


    - 基本电气特性:
    - VDS(耐压):20V(N-通道),-20V(P-通道)
    - ID(连续漏电流):0.75A(N-通道),-0.66A(P-通道) @ TA=25℃
    - IDM(脉冲漏电流):1.8A(N-通道),-1.2A(P-通道)
    - RDS(ON)(导通电阻):
    - 380mΩ(N-通道,@VGS=4.5V,ID=0.65A)
    - 570mΩ(P-通道,@VGS=-4.5V,ID=-1A)
    - 动态特性:
    - 输入电容(Ciss):79~120pF(N-通道),113~170pF(P-通道)
    - 输出电容(Coss):13~20pF(N-通道),15~25pF(P-通道)
    - 反向传输电容(Crss):9~15pF(N-通道和P-通道)
    - 切换特性:
    - 开启延迟时间(td(on)):6.7ns(N-通道),9ns(P-通道)
    - 关闭延迟时间(td(off)):17.3ns(N-通道),32.7ns(P-通道)
    - 热特性:
    - 热阻(RθJA):183°C/W

    产品特点和优势


    - 高效的沟槽技术:提供更低的导通电阻(RDS(ON)),确保了更好的能效比。
    - 宽泛的工作电压范围:适用于多种电压平台,提高了应用的灵活性。
    - 低门极电荷:有助于降低驱动功耗,提升整体效率。
    - 快速开关特性:优异的开关速度确保了高效的信号传输。
    - 低导通电阻:在多个电压条件下表现出色,适用于多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 无线充电:适用于各类无线充电设备,确保高效稳定的能量传输。
    - 升压驱动器:由于其高效率和快速响应特性,可用于各种升压电路。
    - 无刷电机:利用其高电流能力和快速响应特性,提供可靠的动力支持。
    使用建议:
    - 为了获得最佳性能,应在规定的温度范围内使用该器件。
    - 需要注意的是,当负载电流较大时,确保良好的散热措施以避免过热。

    兼容性和支持


    3439KDW 器件采用标准SOT-363封装,易于与多种PCB布局兼容。厂商提供了详细的资料和技术支持,包括应用指南和常见问题解答。

    常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下运行时,器件性能是否会下降?
    - A: 在极端温度条件下,建议在设计时加入额外的散热措施,以保持器件性能稳定。

    - Q: 如何判断器件是否损坏?
    - A: 可通过测量其静态参数(如RDS(ON))来判断器件是否正常工作。如果发现异常,建议更换新的器件。

    总结和推荐


    总结:
    3439KDW是一款集多种优势于一体的双N+P-通道MOSFET器件。它凭借高效的沟槽技术、宽泛的工作电压范围、快速的开关速度等特点,在众多应用场合中表现优秀。特别是其在电池保护和开关电源管理方面的出色表现,使其成为设计工程师的理想选择。
    推荐:
    鉴于其在不同应用场景中的卓越表现,强烈推荐3439KDW MOSFET用于需要高效率、低功耗及快速响应的应用环境中。

3439KDW参数

参数
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
通用封装 SOT-363

3439KDW厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

3439KDW数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 3439KDW 3439KDW数据手册

3439KDW封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.1709
9000+ ¥ 0.168
15000+ ¥ 0.1638
库存: 300000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 512.7
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336