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IRFZ44NS

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 本款消费级N沟道MOSFET采用TO-263封装,具有55V高耐压及卓越的49A大电流处理能力。专为高性能、高功率开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品中,提供出色的能效与系统稳定性表现。
供应商型号: IRFZ44NS TO-263
供应商: 国内现货
标准整包数: 800
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFZ44NS

IRFZ44NS概述

    IRFZ44NS N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
    主要功能: 主要用于电源管理和逆变系统中的开关应用,包括电池保护。
    应用领域: 电源管理、逆变系统、电机驱动、汽车电子等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 栅源电压 \(V{GS}\) | ±20 ±20 | V |
    | 漏源电压 \(V{DS}\) 55 | 55 | V |
    | 漏极连续电流 \(ID\) 49 A |
    | 漏极连续电流 (100℃) 35 | A |
    | 脉冲漏极电流 \(I{DM}\) 160 | A |
    | 最大功耗 \(PD\) 94 | W |
    | 反复雪崩能量 \(E{AR}\) 9.4 | mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 | -55 175 | ℃ |

    3. 产品特点和优势


    - 先进的沟槽技术: 提供低 \(R{DS(ON)}\)、低栅极电荷、在低至4.5V的门极电压下仍能正常工作。
    - 高可靠性和耐用性: 高温范围内的稳定工作(-55°C 至 175°C)。
    - 出色的热性能: 结到外壳热阻为1.5°C/W。
    - 高效的开关性能: 极低的栅极电荷和总栅极电荷(63 nC),适合高频应用。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 用于逆变器系统中的开关控制,例如太阳能逆变器。
    - 作为电池保护电路的一部分,确保系统的稳定运行。
    使用建议:
    - 在设计系统时,需考虑散热问题,以保证长时间稳定运行。
    - 在高频开关应用中,注意优化电路布局以减少寄生电感的影响。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品采用TO-263封装,适用于多种电路板布局。
    - 厂商提供全面的技术支持,包括设计指导、样片测试和售后技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 产品在高温环境下运行时,漏电流显著增加。
    - 解决方案: 选择适当的散热措施,如散热片或强制风冷,确保工作温度低于最大额定值。
    - 问题2: 高频开关时出现过高的开关损耗。
    - 解决方案: 优化门极驱动电路,减少栅极电荷和总栅极电荷,同时考虑使用低杂散电感的PCB布局。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 该产品以其优秀的电气特性和可靠性,在各种电力应用中表现出色。
    - 适合需要高效开关性能和耐高温环境的应用场合。
    推荐:
    - 强烈推荐在需要高性能电源管理和逆变系统的应用中使用IRFZ44NS,尤其是涉及电池保护和频繁开关的场景。

IRFZ44NS参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.47nF
配置 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通用封装 TO-263
应用等级 工业级
零件状态 在售

IRFZ44NS厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFZ44NS数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 IRFZ44NS IRFZ44NS数据手册

IRFZ44NS封装设计

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