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HXY9926S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 本款消费级N+N沟道MOSFET采用SOP-8封装,集成双通道技术,额定电压20V,连续电流6A。专为小型化、高效能电源转换和负载管理设计,适用于电池管理系统及多通道控制应用,提供节能、紧凑的半导体解决方案。
供应商型号: HXY9926S SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY9926S

HXY9926S概述


    产品简介


    HXY9926S 是一款采用先进沟槽技术制造的双N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)。它以其出色的RDS(ON)电阻、低栅极电荷和能够以最低2.5V的门电压进行操作而闻名。HXY9926S 主要适用于电池保护和开关应用,是负载开关、不间断电源等领域的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 基本值 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 20 | V |
    | 栅源击穿电压(VGS) | 12 | V |
    | 漏极电流(ID, TA=25℃) | 6 | A |
    | 漏极电流(ID, TA=70℃) | 4.8 | A |
    | 脉冲漏极电流(IDM) | 26 | A |
    | 总耗散功率(PD, TA=25℃) | 2 | W |
    | 存储温度范围(TSTG) | -55到150 | ℃ |
    | 工作结温范围(TJ) | -55到150 | ℃ |
    | 热阻(Rthj-a) | 362.5 | ℃/W |

    产品特点和优势


    HXY9926S 的主要特点是采用了先进的沟槽技术,使得它的导通电阻(RDS(ON))非常低,仅为25毫欧(典型值)。这不仅提高了能效,还降低了功耗。此外,它能够在最低2.5V的门电压下正常工作,非常适合于需要高效开关的场合,如电池保护电路和负载开关。该器件具有卓越的可靠性和广泛的温度适用范围,因此在各种严苛的工业环境中都能表现出色。

    应用案例和使用建议


    HXY9926S 广泛应用于电池保护系统、负载开关以及不间断电源等领域。例如,在电池保护电路中,它可以作为开关元件,保护电池免受过载和短路的影响。建议在设计这些系统时,考虑HXY9926S的栅极电荷和漏电流特性,以确保系统的稳定性和可靠性。对于高温环境下的应用,需要注意散热设计,以避免因过热导致的性能下降。

    兼容性和支持


    HXY9926S 采用SOP-8封装,便于焊接和安装。该产品与其他常见的电子元件和设备兼容,且提供详细的电气特性和支持文档。厂商提供了详尽的技术支持和维护服务,以确保客户在使用过程中遇到问题时能够及时获得帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:HXY9926S 的最大耗散功率是多少?
    - 解决方案: HXY9926S的最大总耗散功率为2W(TA=25℃),若超过此值可能导致器件损坏。建议设计时考虑散热措施,如使用散热片或散热风扇。
    2. 问题:HXY9926S 的漏极电流在不同温度下的变化如何?
    - 解决方案: 在TA=25℃时,HXY9926S的最大漏极电流为6A;而在TA=70℃时,该值降至4.8A。在设计电路时,需要根据具体的工作环境来合理设置工作电流,避免超过最大额定值。

    总结和推荐


    综上所述,HXY9926S 双N沟道增强型MOSFET是一款高性能、高可靠性的功率器件,特别适合用于电池保护和开关应用。它具备低RDS(ON)电阻、低栅极电荷和宽广的工作温度范围等优点。尽管厂商提供了全面的支持和文档,但用户仍需注意器件的工作条件和极限值,以保证系统的安全运行。总体而言,HXY9926S 是一个值得推荐的产品,尤其适用于需要高效率和高可靠性的场合。

HXY9926S参数

参数
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 6A
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ@ 4.5V,6A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOP-8

HXY9926S厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY9926S数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY9926S HXY9926S数据手册

HXY9926S封装设计

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