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HXY3139CI

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用超小型SOT-523封装,具备20V额定电压和0.6A连续电流能力,专为低功耗电子设备设计。适用于电源转换、负载开关等应用,小巧尺寸与高效性能兼具。
供应商型号: HXY3139CI SOT-523
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY3139CI

HXY3139CI概述

    HXY3139CI P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    HXY3139CI 是由深圳市华轩阳电子有限公司生产的P沟道增强型MOSFET。该产品广泛应用于电池保护、负载开关、不间断电源等领域。该器件采用先进的沟槽工艺技术,提供低导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅源电压下工作。

    技术参数


    以下是 HXY3139CI 的关键技术规格和性能参数:
    - 电气特性
    - 最大漏源电压 (VDS): -20 V
    - 持续漏极电流 (ID): -0.66 A
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS = -4.5V: < 560 mΩ
    - VGS = -2.5V: < 780 mΩ
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS): -1 μA
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): -20 V
    - 栅体泄漏电流 (IGSS): ±10 μA
    - 输入电容 (Ciss): 115 pF
    - 输出电容 (Coss): 15 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 9 pF
    - 工作条件
    - 最大功率耗散 (PD): 150 mW
    - 最大存储温度范围 (TSTG): -55°C 至 150°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient, RθJA): 833°C/W

    产品特点和优势


    HXY3139CI 具备以下显著特点:
    - 高可靠性:采用先进沟槽工艺技术,确保出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。
    - 低功耗:在低至2.5V的电压下仍能有效工作,适用于低功耗应用。
    - 高集成度:通过紧凑的SOT-523封装,易于集成到各种电路设计中。
    - 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定工作,适用于各类严苛的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 电池保护:作为电池管理系统的一部分,用于保护电池免受过载或短路的影响。
    2. 负载开关:在电源管理和控制电路中用作负载开关,提高系统效率。
    3. 不间断电源:在UPS系统中作为关键组件,确保电源供应的连续性。
    使用建议
    - 电路布局:在 PCB 设计时,确保有足够的散热空间,以避免因高温引起的性能下降。
    - 驱动电路:建议使用带有合适门极电阻的驱动电路,以减少开关过程中的瞬态电流。
    - 并联使用:在需要更大电流处理能力的应用中,可以考虑将多个 HXY3139CI 并联使用。

    兼容性和支持


    HXY3139CI 与标准的SOT-523封装兼容,易于替换市场上同类产品。深圳市华轩阳电子有限公司提供了全面的技术支持,包括样品申请、技术文档和售后服务。客户可以通过公司官网或授权经销商获取更多支持信息。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致性能下降 | 确保良好的散热设计,使用散热片或风扇辅助散热。 |
    | 开关频率不稳定 | 调整门极电阻值,确保合适的开关速度。 |
    | 漏电流过大 | 检查电路连接,确保无短路现象。 |

    总结和推荐


    综合评估
    HXY3139CI P-Channel MOSFET 在电池保护、负载开关和不间断电源应用中表现出色,具备低导通电阻、高可靠性和宽工作温度范围等优势。其紧凑的封装使其成为集成设计的理想选择。
    推荐
    鉴于 HXY3139CI 的高性能和多功能性,我们强烈推荐在相关应用中使用此产品。同时,我们也建议在设计电路时参考制造商提供的技术文档,以充分利用其优势并避免潜在问题。

HXY3139CI参数

参数
通道数量 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 560mΩ@ 4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 660mA
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
通用封装 SOT-523

HXY3139CI厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY3139CI数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY3139CI HXY3139CI数据手册

HXY3139CI封装设计

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