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HXY3422MI

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 该消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装,具备N沟道特性,支持高达60V的工作电压及4.5A连续电流,特别适用于高效率电源转换和电子设备开关控制。其小巧外形与卓越性能相结合
供应商型号: HXY3422MI SOT-23-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY3422MI

HXY3422MI概述

    电子元器件产品技术手册:HXY3422MI N-Channel MOSFET

    1. 产品简介


    HXY3422MI 是一款由深圳市华轩阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics CO.,LTD)生产的N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET)。该产品采用先进的沟槽技术,具有出色的低导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷和低门电压驱动能力。HXY3422MI 主要适用于电池保护、开关应用及PWM应用等领域,如负载开关和电源管理。

    2. 技术参数


    以下是HXY3422MI的技术规格和性能参数:
    - 主要

    技术参数


    - 漏源击穿电压(VDS): 60V
    - 持续漏极电流(ID): 4.5A
    - 脉冲漏极电流(IDM): 15A
    - 最大功率耗散(PD): 8W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, TSTG): -55°C 至 150°C
    - 热阻(Junction-to-Ambient,RθJA): 89°C/W
    - 静态导通电阻(RDS(ON))
    - VGS=4.5V, ID=5A 时:80mΩ(最小值),90mΩ(最大值)
    - VGS=10V, ID=5A 时:70mΩ(典型值),75mΩ(最大值)
    - 其他电气特性
    - 门阈电压(VGS(th)): 1.2V(最小值),2.5V(最大值)
    - 门源泄漏电流(IGSS): ±100nA(VGS=±20V, VDS=0V)
    - 前向传输电导(gfs): 7S(VDS=5V, ID=5A)
    - 封装参数
    - 封装类型:SOT23-3L
    - 包装数量:3000个/箱
    - 订单标记:ARDP 7B

    3. 产品特点和优势


    - 高功率处理能力:HXY3422MI 的高功率处理能力和快速响应时间使其适用于需要高性能的场合。
    - 低导通电阻:VGS=4.5V 时 RDS(ON) < 90mΩ,VGS=10V 时 RDS(ON) < 75mΩ,显著降低功耗并提高效率。
    - 低门极电荷:总门极电荷 Qg < 5.5nC,有助于减少开关损耗,提高效率。
    - 宽工作温度范围:可在极端环境下稳定运行,从-55°C到150°C。
    - 符合RoHS标准:无铅封装,环保可靠。

    4. 应用案例和使用建议


    HXY3422MI 可用于多种应用场合,例如:
    - 电池保护:用于笔记本电脑、手机等移动设备的电池保护电路,防止过充和过放。
    - 开关应用:如负载开关,PWM调制电路等,确保高效可靠的开关操作。
    - 电源管理:在电源转换器中作为功率开关管,提高系统的整体能效。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意避免长时间超过额定值使用产品,以防止因过热导致的产品失效。
    - 对于高可靠性要求的应用,如生命支持系统和飞机控制系统,建议咨询华轩阳公司代表,确保产品满足特定需求。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:HXY3422MI 适用于大多数通用电路板和焊接工艺。
    - 支持:华轩阳提供技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中得到及时帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:产品发热严重,影响正常工作。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇,保证良好的热管理。

    - 问题:产品在高频率开关应用中表现不佳。
    - 解决方案:选择合适的栅极电阻和驱动电路,减少寄生电感和电容的影响。

    7. 总结和推荐


    HXY3422MI N-Channel MOSFET 具有优异的导通电阻、低栅极电荷和宽工作温度范围,是一款性能出色、应用广泛的电子元器件。适用于电池保护、开关应用及电源管理等多种场合。考虑到其优良的性价比和广泛应用前景,强烈推荐使用此产品。
    综上所述,HXY3422MI 不仅具备卓越的技术参数,还拥有广泛的应用潜力和优秀的性价比,非常适合作为高性能电子设备的关键元器件。

HXY3422MI参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 75mΩ@ 10V,5A
Id-连续漏极电流 4.5A
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 SOT-23-3L

HXY3422MI厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY3422MI数据手册

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HXY3422MI封装设计

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