处理中...

首页  >  产品百科  >  HXY4612S

HXY4612S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款消费级N+P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装,专为60V电压环境设计,额定电流5A。适用于电池管理系统、AC/DC转换器等应用,具备双极性开关功能,实现正负电压控制。低导通电阻和卓越的开关性能确保了在高效率电源转换中的稳定表现。
供应商型号: HXY4612S SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY4612S

HXY4612S概述

    HXY4612S MOSFET 技术手册

    产品简介


    HXY4612S 是一款由深圳华轩阳电子有限公司生产的双 N+P 通道增强型 MOSFET,适用于无线充电、升压驱动和无刷电机等多种开关应用。此款 MOSFET 使用先进的沟槽技术,提供卓越的低导通电阻(RDS(ON)),并且能够在低至 4.5V 的栅极电压下正常运行。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDS) | 60 -60 | V |
    | 栅源电压(VGS) | ±20 V |
    | 持续漏极电流(ID) | 5 -4 | A |
    | 额定温度下总功耗(PD) 2 W |
    | 热阻(RθJA) 85 °C/W |
    | 二极管正向电压(VSD) -1.2 | V |

    产品特点和优势


    HXY4612S MOSFET 具备以下几个显著的优势:
    - 低导通电阻(RDS(ON)):在典型条件下,N 通道和 P 通道的 RDS(ON) 分别小于 70mΩ 和 140mΩ。
    - 宽工作电压范围:能够处理高达 60V 的漏源电压,适用于多种高电压应用。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷(Qg)在 4.5V 下为 19nC,有助于降低驱动功率。
    - 低温升特性:在极端环境下仍能保持稳定性能,具有良好的热稳定性。

    应用案例和使用建议


    HXY4612S 主要应用于无线充电系统、升压驱动电路和无刷电机控制。例如,在无线充电系统中,它可以用于实现高效、稳定的能量传输;在无刷电机控制系统中,它可用于精准的电机驱动和调速。在实际使用过程中,需要注意确保栅极电压在额定范围内以防止过压损坏。

    兼容性和支持


    HXY4612S MOSFET 采用标准 SOP-8 封装,可以轻松与其他电子元件兼容,适用于大多数标准 PCB 设计。厂商提供了详细的用户手册和技术支持,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:栅极电压超过额定值导致损坏
    - 解决方案:确保栅极电压不超过 ±20V 的额定值,使用外部保护电路来限制电压。
    2. 问题:过高的工作温度导致性能下降
    - 解决方案:合理设计散热系统,使用适当的热管理措施,如散热片或散热器。
    3. 问题:导通时间延迟较长
    - 解决方案:调整驱动电路的参数,减小栅极电阻,提高驱动速度。

    总结和推荐


    HXY4612S MOSFET 在高电压和高电流应用中表现出色,具有低导通电阻和宽工作电压范围的特点。对于需要高效、稳定驱动的应用,这款 MOSFET 是一个理想的选择。考虑到其高可靠性和广泛的适用性,我们强烈推荐使用 HXY4612S MOSFET。

HXY4612S参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Id-连续漏极电流 8.5A;7.7A
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 48mΩ@10V,5A;85mΩ@10V,3A
通道数量 -
通用封装 SOP-8

HXY4612S厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY4612S数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY4612S HXY4612S数据手册

HXY4612S封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.5508
9000+ ¥ 0.5416
15000+ ¥ 0.5279
库存: 720000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 1652.4
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336