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HXY4612S

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款消费级N+P沟道MOSFET采用紧凑型SOP-8封装,专为60V电压环境设计,额定电流5A。适用于电池管理系统、AC/DC转换器等应用,具备双极性开关功能,实现正负电压控制。低导通电阻和卓越的开关性能确保了在高效率电源转换中的稳定表现。
供应商型号: HXY4612S SOP-8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY4612S

HXY4612S参数

参数
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 48mΩ@10V,5A;85mΩ@10V,3A
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 8.5A;7.7A
配置 -
FET类型 -
通用封装 SOP-8

HXY4612S厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY4612S数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY4612S HXY4612S数据手册

HXY4612S封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.5508
9000+ ¥ 0.5416
15000+ ¥ 0.5279
库存: 720000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 1652.4
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