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IRFR5305T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 本款消费级P沟道MOSFET采用TO-252-2L封装,具备60V高耐压及高效能的20A电流处理能力。专为中高压开关应用设计,广泛应用于各类消费电子产品中,有效提升电源转换效率与系统稳定性,是优化电路性能的理想半导体器件。
供应商型号: IRFR5305T TO-252-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 2500
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) IRFR5305T

IRFR5305T概述


    产品简介


    IRFR5305T P-Channel Enhancement Mode MOSFET
    IRFR5305T 是一款由深圳华轩阳电子有限公司生产的 P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(P-Channel Enhancement Mode MOSFET)。它采用先进的沟槽技术,能够提供出色的 RDS(ON),低栅极电荷,并且可以在 4.5V 的栅极电压下运行。IRFR5305T 主要适用于电池保护、负载开关和电源管理等应用。此外,由于其高效能和稳定性,该器件也广泛应用于各类开关电路中。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 栅极-源极电压 | VGS ±20 ±20 | V |
    | 漏极-源极电压 | VDS -60 -60 | V |
    | 漏极电流(连续) | ID -20 -20 | A |
    | 最大功率耗散 | PD | 40 | W |
    | 热阻,结至环境 | RθJA | 20 | ℃/W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, TSTG -55 175 | ℃ |
    | 阈值电压 | VGS(th) -1 -2.5 | V |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-10V, ID=-10A | 64 | 72 mΩ |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(ON) | VGS=-4.5V, ID=-10A | 90 | 100 mΩ |
    | 输入电容 | Ciss | VDS=-30V, VGS=0V | 2460 pF |
    | 输出电容 | Coss | 220 | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | 155 | pF |

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷:IRFR5305T 具有非常低的栅极电荷,这使得其在高频开关应用中表现优异。
    - 高效率:漏极-源极导通电阻在不同栅极电压下表现出色,RDS(ON) 值低至 72mΩ @ VGS=-10V 和 100mΩ @ VGS=-4.5V。
    - 宽泛的工作范围:支持从 -55°C 到 175°C 的工作温度范围,使其适用于多种恶劣环境下的应用。
    - 可靠性高:采用先进的沟槽技术,确保在高电流密度下的稳定性和长期可靠性。

    应用案例和使用建议


    IRFR5305T 可用于电池保护电路,其在高负载电流条件下表现出色。在实际应用中,设计者需要特别注意电源管理系统的设计,以避免过载和过热。为了优化性能,建议在高温环境下进行充分的散热设计,并使用合适的 PCB 布局来减少寄生电感和电容。

    兼容性和支持


    IRFR5305T 支持 TO-252-2L 封装,这种封装形式具有良好的热性能和机械强度,便于安装和焊接。深圳华轩阳电子有限公司为其产品提供全面的技术支持和售后服务,包括设计咨询、样品测试和故障排查等服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下,IRFR5305T 的性能是否会受到影响?
    解决方案:虽然 IRFR5305T 可以在广泛的温度范围内工作,但在高温环境下应增加散热措施,例如加装散热片或风扇。
    2. 问题:如何选择合适的栅极驱动电压?
    解决方案:推荐使用 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压,以确保 MOSFET 的最佳性能。如果驱动电压过低,则可能无法实现足够的导通状态电阻。

    总结和推荐


    IRFR5305T P-Channel Enhancement Mode MOSFET 在多个关键指标上表现出色,包括低栅极电荷、低 RDS(ON) 和宽工作温度范围。它非常适合应用于电池保护、负载开关和电源管理等领域。深圳华轩阳电子有限公司提供了全方位的支持和保证,使得该产品在各种复杂环境中都能保持优异的表现。总体来说,我们强烈推荐将 IRFR5305T 用于需要高性能 MOSFET 的应用场合。

IRFR5305T参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 20A
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 72mΩ@ 10V
通用封装 TO-252-2L

IRFR5305T厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

IRFR5305T数据手册

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IRFR5305T封装设计

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