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HXY3404MI

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装,专为30V电压系统设计,具备5A强大电流承载力。具有低导通电阻与快速开关特性,广泛应用于充电器、电源转换等设备中,实现高效能、稳定的功率控制功能。
供应商型号: HXY3404MI SOT-23-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY3404MI

HXY3404MI概述

    HXY3404MI N-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HXY3404MI 是一款由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD 生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造,具有出色的 RDS(ON)(导通电阻)、低门极电荷,并能在最低 4.5V 的门极电压下运行。这款 MOSFET 主要应用于电池保护电路、负载开关和其他开关应用中。

    2. 技术参数


    - 基本规格
    - VDS(漏源电压):30V
    - ID(连续漏电流):5A
    - RDS(ON)(导通电阻):28mΩ@VGS=10V;32mΩ@VGS=4.5V
    - 封装类型:SOT23-3L
    - 电气特性
    - BVDSS(击穿电压):30V
    - IDSS(零门极电压漏电流):≤1µA
    - IGSS(栅体泄漏电流):±100nA
    - VGS(th)(门阈电压):0.8V 至 2.2V
    - RDS(ON)(导通电阻):24mΩ至28mΩ@VGS=10V;26mΩ至32mΩ@VGS=4.5V
    - gfs(跨导):≥33S
    - CISS(输入电容):255pF
    - COSS(输出电容):45pF
    - CRSS(反向传输电容):35pF
    - 热特性
    - 最大功率耗散:1.4W
    - 热阻(结到环境):100℃/W
    - 绝对最大额定值
    - VDS(漏源电压):30V
    - VGS(栅源电压):±20V
    - 连续漏电流:5A(@Tj=125℃)
    - 脉冲漏电流:20A
    - 最大门极电荷:5.2nC
    - 最大门极电压电荷:0.85nC
    - 最大门极漏电流电荷:1.3nC
    - 开启延时时间:4.5ns
    - 上升时间:2.5ns
    - 关闭延时时间:14.5ns
    - 下降时间:3.5ns
    - 前向电压:0.76V 至 1.16V

    3. 产品特点和优势


    HXY3404MI 的主要特点和优势包括:
    - 低 RDS(ON),提高效率
    - 低门极电荷,降低开关损耗
    - 低栅体泄漏电流,提高稳定性
    - 宽泛的门阈电压范围,适合多种应用
    - 高可靠性,适用于严苛环境
    这些特点使其在电池保护、负载开关和不间断电源等应用中表现出色,尤其是在需要高效率和低损耗的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电池保护:HXY3404MI 可以有效保护电池免受过充和过放,适用于便携式电子设备。
    - 负载开关:适用于各种直流电源管理,特别是在需要高效开关的应用中。
    - 不间断电源:可用于提供持续稳定的电力供应。
    使用建议:
    - 确保在应用中正确处理散热问题,以防止过热损坏。
    - 在设计电路时,考虑栅极驱动电路的设计,确保足够的栅极驱动能力。
    - 使用适当的 PCB 设计来降低寄生效应,特别是对于高频应用。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:HXY3404MI 具有标准的 SOT23-3L 封装,易于与其他标准封装的组件进行集成。
    - 支持:Shenzhen HuaXuanYang Electronics 提供详尽的技术支持,包括在线资源、电话技术支持和定制化解决方案。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q:如何处理过热问题?
    - A:增加散热片或优化 PCB 布局,确保器件有足够的散热路径。

    - Q:如何降低开关损耗?
    - A:选择合适的门极电阻,确保快速而完整的开启和关闭过程。

    - Q:为什么需要门极驱动能力?
    - A:足够的门极驱动能力可以确保 MOSFET 快速和可靠地开关,减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    总体而言,HXY3404MI N-Channel MOSFET 是一款性能优越、应用广泛的器件。其卓越的导通电阻、低门极电荷以及宽泛的工作温度范围使其成为许多电源管理和电池保护应用的理想选择。因此,我强烈推荐 HXY3404MI 作为高性能 MOSFET 的首选。

HXY3404MI参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 255pF@15V
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 1.3W
Vds-漏源极击穿电压 30V
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 10V,5A
通道数量 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V
栅极电荷 5.2nC@ 10V
Id-连续漏极电流 5A
FET类型 2个N沟道
通用封装 SOT-23-3L
应用等级 工业级
零件状态 在售

HXY3404MI厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY3404MI数据手册

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HXY3404MI封装设计

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