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HXY50N03DF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,具有出色的功率密度。额定电压30V,连续电流高达50A,特别适合于紧凑空间内的高效电源转换、负载开关控制以及电池管理系统等应用场合,提供卓越的性能与可靠性。
供应商型号: HXY50N03DF DFN3X3-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY50N03DF

HXY50N03DF参数

参数
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 50A
Vds-漏源极击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 10V,12A
FET类型 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -

HXY50N03DF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY50N03DF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY50N03DF HXY50N03DF数据手册

HXY50N03DF封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 0.3168
15000+ ¥ 0.3115
25000+ ¥ 0.3036
库存: 300000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 1584
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