处理中...

首页  >  产品百科  >  HXY50N03DF

HXY50N03DF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用超小型DFN3X3-8L封装,具有出色的功率密度。额定电压30V,连续电流高达50A,特别适合于紧凑空间内的高效电源转换、负载开关控制以及电池管理系统等应用场合,提供卓越的性能与可靠性。
供应商型号: HXY50N03DF DFN3X3-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY50N03DF

HXY50N03DF概述

    HXY50N03DF N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    HXY50N03DF 是由深圳华轩阳电子有限公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET。它采用了先进的沟槽技术,以提供卓越的 RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷,并能在最低 4.5V 的栅极电压下正常工作。此器件适用于电池保护、开关应用等领域,如负载开关和不间断电源(UPS)。

    技术参数


    以下是 HXY50N03DF 的主要技术参数:
    - 工作电压 (VDS):30V
    - 连续漏极电流 (ID):在 25℃ 下为 50A;在 100℃ 下为 30A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):112A
    - 反向击穿电压 (BVDSS):30V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):1.2V 至 2.5V
    - 静态导通电阻 (RDS(ON)):在 VGS=10V、ID=30A 时为 7.5mΩ 至 10mΩ
    - 总栅极电荷 (Qg):在 VDS=15V、VGS=4.5V、ID=15A 时为 9.8nC
    - 热阻 (RθJA):62℃/W
    - 存储温度范围 (TSTG):-55℃ 至 175℃
    - 工作结温范围 (TJ):-55℃ 至 175℃

    产品特点和优势


    HXY50N03DF 具备以下显著特点和优势:
    - 高效的导通电阻 (RDS(ON)):低至 7.5mΩ,可显著降低功耗。
    - 高可靠性:在高温环境下仍能保持良好的性能,适合严苛的工作条件。
    - 低栅极电荷:降低了开关损耗,提升了系统效率。
    - 低门槛驱动电压:最低 4.5V 的栅极电压使其易于驱动。
    - 多功能应用:适用于电池保护、负载开关和不间断电源等多种应用。

    应用案例和使用建议


    HXY50N03DF 广泛应用于各类电子设备中,具体应用如下:
    - 电池保护:在移动设备、电动汽车等设备中作为电池保护电路的关键部件。
    - 负载开关:在通信设备和数据中心中作为高效能的开关器件。
    - 不间断电源 (UPS):提供可靠的电力切换和保护功能。
    使用建议:
    - 在高频率开关应用中,应选择合适的栅极电阻以控制开关速度。
    - 确保散热措施有效,避免因过热导致的损坏。
    - 结合具体应用需求,合理选择栅极驱动电压,以优化功耗和性能。

    兼容性和支持


    HXY50N03DF 具备良好的兼容性,可以与其他标准电子元件和设备配合使用。此外,厂商提供了详细的技术支持和售后服务,包括产品资料、技术文档和技术咨询等,确保用户能够正确使用和维护产品。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的使用问题及其解决方案:
    - 问题:温度过高导致器件失效。
    解决方案:加强散热措施,如增加散热片或使用散热胶。

    - 问题:栅极驱动电压不稳定导致开关失灵。
    解决方案:检查并调整驱动电路,确保电压稳定。

    - 问题:器件在高频率应用中表现不佳。
    解决方案:增加栅极电阻以减缓开关速度,或选用更适合高频应用的 MOSFET。

    总结和推荐


    综上所述,HXY50N03DF N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元件,适用于多种应用场景。其出色的导通电阻、低栅极电荷和广泛的温度适应能力使其在市场上具有较高的竞争力。对于需要高性能、高可靠性的电子设备设计者而言,HXY50N03DF 是一个值得推荐的选择。
    请注意,在使用本产品时,请遵循制造商的安全指南和使用限制,确保其在安全和合规的前提下使用。

HXY50N03DF参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 10V,12A
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 50A
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
FET类型 -
通道数量 -

HXY50N03DF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY50N03DF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY50N03DF HXY50N03DF数据手册

HXY50N03DF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 0.3168
15000+ ¥ 0.3115
25000+ ¥ 0.3036
库存: 300000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 1584
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336