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HXY3400MI

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装,适用于30V电压系统,额定电流高达5.8A。具备低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器、电源转换等领域,为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
供应商型号: HXY3400MI SOT-23-3L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY3400MI

HXY3400MI概述


    产品简介


    HXY3400MI 是一款由深圳华宣阳电子有限公司生产的 N-Channel 增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件采用了先进的沟槽技术,具备出色的 RDS(ON)(导通电阻)、低栅极电荷及可在最低 2.5V 的栅极电压下运行的优点。HXY3400MI 主要适用于电池保护及开关应用,广泛应用于电源管理领域。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压 (VDS): 30V
    - 连续漏电流 (ID): 5.8A
    - 漏极连续功率耗散 (PD): 1.4W
    - 绝对最大额定值:栅源电压 (VGS): ±12V
    - 工作温度范围: -55°C 至 150°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient): 89°C/W
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(ON)):
    - VGS=10V: <28mΩ
    - VGS=4.5V: <34mΩ
    - 转导电容 (gFS): 10S
    - 输入电容 (Ciss): 825PF
    - 输出电容 (Coss): 100PF
    - 反向传输电容 (Crss): 78PF
    - 开启延迟时间 (td(on)): 3.3ns
    - 开启上升时间 (tr): 4.8ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 26ns
    - 关断下降时间 (tf): 4ns

    产品特点和优势


    HXY3400MI 具备高功率和电流处理能力,采用无铅工艺生产,具有表面贴装封装。它的关键优势在于其低导通电阻和出色的开关性能,能够在较低的栅极电压下有效工作。这使得它在需要高效率和紧凑设计的应用中表现出色,例如电池保护电路和负载开关。

    应用案例和使用建议


    HXY3400MI 主要应用于电源管理和电池保护领域。例如,在锂离子电池保护电路中,它可以用于控制过流和短路情况。为了确保最佳性能,建议使用时配合低内阻的栅极驱动器,并且在设计时考虑散热措施以防止过热。
    使用建议:
    - 选择合适的栅极电阻,以平衡开启速度和功耗。
    - 在高功率应用中增加外部散热器,提高可靠性。
    - 在布局设计上尽量缩短引线长度,减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    HXY3400MI 支持 PWM 应用,可以与其他标准 MOSFET 兼容。制造商提供了详细的技术支持,包括设计指导和故障排查手册。此外,公司官网 (www.hxymos.com) 上也提供了一系列技术文档和资料供用户参考。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开启时间过长
    - 解决办法: 检查并调整栅极电阻,以优化开关速度。
    - 问题: 发热严重
    - 解决办法: 确保良好的散热设计,必要时增加散热片。
    - 问题: 输出不稳定
    - 解决办法: 检查电路连接和接地,确保信号完整性。

    总结和推荐


    HXY3400MI 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel MOSFET,特别适合于电源管理和电池保护应用。它具备出色的导通电阻和低栅极电荷特性,能够满足大多数现代电子设备的需求。考虑到其广泛的应用场景和优秀的性能表现,强烈推荐在相关领域中使用这款产品。

HXY3400MI参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 5.8A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 10V,5.8A
通用封装 SOT-23-3L

HXY3400MI厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY3400MI数据手册

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HXY3400MI封装设计

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