处理中...

首页  >  产品百科  >  HXY302DF

HXY302DF

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 描述: 本款消费级N+N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装,双通道设计,额定电压30V,连续电流高达30A。适用于高效电源转换、负载共享和电池管理系统等应用,提供卓越的集成度与功率处理能力,实现现代电子设备的小型化需求。
供应商型号: HXY302DF DFN3X3-8L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY302DF

HXY302DF概述

    HXY302DF Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET 技术手册

    产品简介


    HXY302DF 是由深圳市华宣阳电子有限公司(HUAXUANYANG)生产的双N沟道增强型MOSFET,专为电池保护及开关应用设计。这款产品采用了先进的沟槽技术,能够提供优异的RDS(ON),低栅极电荷,并能在最低4.5V的栅极电压下正常工作。适用于锂离子电池保护、无线冲击和手机快速充电等领域。

    技术参数


    以下是HXY302DF的关键技术参数:
    - 最大漏源电压 (VDS): 30V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±20V
    - 持续漏电流 (ID): 30A (25℃时),18A (100℃时)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 50A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 24.2mJ
    - 雪崩电流 (IAS): 22A
    - 最大功耗 (PD): 1.5W (25℃时)
    - 结温范围: -55℃至150℃
    - 热阻 (RθJA): 185℃/W
    - 热阻 (RθJC): 25℃/W

    产品特点和优势


    HXY302DF 具备以下显著优势:
    - 采用先进的沟槽技术,确保低RDS(ON)和高可靠性
    - 低栅极电荷,适合高速开关应用
    - 支持低至4.5V的栅极电压,提高应用灵活性
    - 在高温环境下仍能保持稳定性能,热阻低,散热性能优越

    应用案例和使用建议


    HXY302DF 主要应用于以下领域:
    - 锂电池保护:适用于需要高精度保护的电池管理系统
    - 无线冲击:在无线传输系统中,用于电源管理
    - 手机快速充电:提高充电效率,减少发热
    使用建议:
    - 由于HXY302DF的工作温度范围较广,建议在极端环境下使用时进行热模拟测试,以确保热设计合理
    - 在电池保护应用中,注意配合电池保护电路使用,以充分发挥其性能

    兼容性和支持


    HXY302DF 封装形式为DFN3X3-8L,可直接焊接于FR-4板上。制造商提供详细的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 在高电流应用中,MOSFET过热
    - 解决办法: 增加外部散热片,改善散热条件
    2. 问题: 开关频率过高导致性能下降
    - 解决办法: 减少开关频率或优化电路设计,减少开关损耗
    3. 问题: 高温环境下性能不稳定
    - 解决办法: 使用热模拟工具验证热设计,确保热阻符合要求

    总结和推荐


    HXY302DF是一款高性能、高可靠性的双N沟道MOSFET,特别适用于需要低RDS(ON)和高栅极电荷的应用场合。其广泛的工作温度范围和优良的散热性能使其成为电池保护和电源管理领域的理想选择。考虑到其卓越的特性和广泛的适用性,我们强烈推荐HXY302DF用于各种高要求的应用场景。

HXY302DF参数

参数
通道数量 -
Id-连续漏极电流 30A
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
栅极电荷 -

HXY302DF厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HXY302DF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 场效应管(MOSFET) HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HXY302DF HXY302DF数据手册

HXY302DF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ ¥ 0.6
15000+ ¥ 0.59
25000+ ¥ 0.575
库存: 300000
起订量: 5000 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:5000
合计: ¥ 3000
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336